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1. (WO2004102277) PROCEDE POUR PRODUIRE UN MOTIF DE PHOTORESINE BI-COUCHE AMELIOREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102277    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/013818
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 29.04.2004
CIB :
G03F 7/09 (2006.01), G03F 7/36 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
XIAO, Hanzhong [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHU, Helen, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
TANG, Kuo-Lung [--/--]; (TW) (US Seulement).
SADJADI, S.M., Reza [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XIAO, Hanzhong; (US).
ZHU, Helen, H.; (US).
TANG, Kuo-Lung; (TW).
SADJADI, S.M., Reza; (US)
Mandataire : VILLENEUVE, Joseph, M.; Beyer Weaver & Thomas, LLP, P.O. Box 70250, Oakland, CA 94612-0250 (US)
Données relatives à la priorité :
10/435,130 09.05.2003 US
Titre (EN) METHOD PROVIDING AN IMPROVED BI-LAYER PHOTORESIST PATTERN
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UN MOTIF DE PHOTORESINE BI-COUCHE AMELIOREE
Abrégé : front page image
(EN)A method for etching a feature in a layer is provided. An underlayer of a polymer material is formed over the layer. A top image layer is formed over the underlayer. The top image layer is exposed to patterned radiation. A pattern is developed in the top image layer. The pattern is transferred from the top image layer to the underlayer with a reducing dry etch. The layer is etched through the underlayer, where the top image layer is completely removed and the underlayer is used as a pattern mask during the etching the layer to transfer the pattern from the underlayer to the layer.
(FR)L'invention concerne un procédé pour graver un élément dans une couche. Une couche inférieure en matière polymère est formée sur la couche. Une couche d'image supérieure est formée sur la couche inférieure. La couche d'image supérieure est exposée à un rayonnement à motifs. Un motif est développé sur la couche d'image supérieure, puis il est transféré de ladite couche d'image supérieure vers la couche inférieure, au moyen d'une gravure à sec de réduction. La couche est gravée à travers la couche inférieure, la couche d'image supérieure étant complètement éliminée, puis la couche inférieure est utilisée comme masque à motifs lors de la gravure de la couche, de manière à transférer le motif de la couche inférieure sur la couche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)