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1. (WO2004102276) PROCEDE DE GRAVURE D'ELEMENTS DE SEMI-CONDUCTEURS A RAPPORT LARGEUR/HAUTEUR ELEVE AU MOYEN DE COUCHES DE RESINE PHOTOSENSIBLE ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102276    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/001606
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 11.05.2004
CIB :
G03F 7/09 (2006.01), G03F 7/095 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
DE JONGHE, Véronique [BE/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : DE JONGHE, Véronique; (FR)
Mandataire : LOTTIN, Claudine; Société Civile SPID, 156 Boulevard Haussmann, F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
03300014.2 19.05.2003 EP
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING HIGH ASPECT RATIO SEMICONDUCTOR FEATURES USING ORGANIC PHOT0-RESIST LAYERS
(FR) PROCEDE DE GRAVURE D'ELEMENTS DE SEMI-CONDUCTEURS A RAPPORT LARGEUR/HAUTEUR ELEVE AU MOYEN DE COUCHES DE RESINE PHOTOSENSIBLE ORGANIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A masking structure for patterning an underlying layer (20) formed from material to be etched comprises the superposition of a lower masking layer (11) formed from a first organic photo-resist reacting to a first given wavelength value, and an upper masking layer (13) formed from a second organic photo-resist reacting to a second given wavelength. The first wavelength value is higher than the second wavelength value. The first organic photo-resist exhibits a higher selectivity against the material to be etched than the second organic photo-resist. An anti-reflective coating layer (20) may be formed between the lower masking layer and the upper masking layer. The upper masking layer is patterned according to a desired pattern. The pattern is then transferred from the upper masking layer through the lower masking layer. Finally, the underlying layer is etched by using the lower masking layer as an etch mask.
(FR)Cette structure de masquage pour modéliser d'une couche sous-jacente (20) formée d'un matériau à graver comprend une couche inférieure de masquage (11) formée d'une première résine photosensible organique sensible à une première longueur d'onde d'une valeur donnée et une couche supérieure surjacente de masquage (13) formée d'une seconde résine photosensible organique sensible à une seconde longueur d'onde donnée. La valeur de la première longueur d'onde est supérieure à la valeur de la seconde longueur d'onde. La première résine photosensible organique est plus sélective par rapport au matériau à graver que la second résine photosensible organique. Il est possible de former une couche (20) anti-réfléchissante de revêtement entre la couche inférieure de masquage et la couche supérieure de masquage. La couche supérieure de masquage est modélisée selon un modèle voulu. Le modèle est ensuite transféré de la couche supérieure de masquage, à travers la couche inférieure de masquage. Finalement, on engrave la couche inférieure en utilisant la couche inférieure de masquage comme masque de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)