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1. WO2004102274 - UTILISATION DE MATIERES DIELECTRIQUES APPLIQUEES PAR CENTRIFUGATION ET A MOTIFS FORMES PAR PHOTOEXPOSITION POUR COUCHES INTERMEDIAIRES ET STRUCTURE INTERMEDIAIRE DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR REPOSANT SUR L'UTILISATION DESDITES MATIERES

Numéro de publication WO/2004/102274
Date de publication 25.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/014728
Date du dépôt international 11.05.2004
CIB
H01L 21/312 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312Couches organiques, p.ex. couche photosensible
CPC
G03F 7/0757
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
075Silicon-containing compounds
0757Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
G03F 7/095
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
095having more than one photosensitive layer
H01L 21/02134
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
02134the material comprising hydrogen silsesquioxane, e.g. HSQ
H01L 21/02137
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
02137the material comprising alkyl silsesquioxane, e.g. MSQ
H01L 21/02216
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02214the compound comprising silicon and oxygen
02216the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
H01L 21/02222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02219the compound comprising silicon and nitrogen
02222the compound being a silazane
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
Inventeurs
  • LI, Weimin
  • SANDHU, Gurtej, S.
Mandataires
  • WALKOWSKI, Joseph, A.
Données relatives à la priorité
10/435,79112.05.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) USE OF SPIN-ON, PHOTOPATTERNABLE, INTERPLAYER DIELECTRIC MATERIALS AND INTERMEDIATE SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE UTILIZING THE SAME
(FR) UTILISATION DE MATIERES DIELECTRIQUES APPLIQUEES PAR CENTRIFUGATION ET A MOTIFS FORMES PAR PHOTOEXPOSITION POUR COUCHES INTERMEDIAIRES ET STRUCTURE INTERMEDIAIRE DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR REPOSANT SUR L'UTILISATION DESDITES MATIERES
Abrégé
(EN)
A cap layer that enables a photopatternable, spin-on material to be used in the formation of semiconductor device structures at wavelengths that were previously unusable. The photopatternable, spin-on material is applied as a layer to a semiconductor substrate. The cap layer and a photoresist layer are each formed over the photopatternable layer. The cap layer absorbs or reflects radiation and protects the photopatternable layer from a first wavelength of radiation used in patterning the photoresist layer. The photopatternable, spin-on material is convertible to a silicon dioxide-based material upon exposure to a second wavelength of radiation.
(FR)
Couche d'encapsulation qui permet l'utilisation d'une matière appliquée par centrifugation et à motifs formés par photoexposition dans la formation de structures de dispositifs à semi-conducteur à des longueurs d'onde qui étaient précédemment inutilisables. Ladite matière appliquée par centrifugation et à motifs formés par photoexposition est appliquée sous forme de couche sur un substrat semi-conducteur. La couche d'encapsulation et une couche de résine photosensible sont chacune formées au-dessus de la couche à motifs formés par photoexposition. La couche d'encapsulation absorbe ou réfléchit les rayonnements et protège la couche à motifs formés par photoexposition contre une première longueur d'onde de rayonnement utilisée pour former des motifs dans la couche de résine photosensible. La matière appliquée par centrifugation et à motifs formés par photoexposition peut être convertie en une matière à base de dioxyde de silicium par exposition à des rayonnements d'une seconde longueur d'onde.
Également publié en tant que
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