Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 31.10.2020 à 7:00 AM CET
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2004102076 - SYSTEME DE CHAUFFAGE EN CERAMIQUE MULTIZONE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE

Numéro de publication WO/2004/102076
Date de publication 25.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/004251
Date du dépôt international 13.02.2004
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H05B 3/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3Chauffage par résistance ohmique
10Eléments chauffants caractérisés par la composition ou la nature des matériaux ou par la disposition du conducteur
12caractérisés par la composition ou la nature du matériau conducteur
14le matériau étant non métallique
H05B 3/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
BCHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
3Chauffage par résistance ohmique
20Eléments chauffants ayant une surface s'étendant essentiellement dans deux dimensions, p.ex. plaques chauffantes
22non flexibles
28le conducteur chauffant enrobé dans un matériau isolant
CPC
H01L 21/67103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67103mainly by conduction
H01L 21/67248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67248Temperature monitoring
H05B 3/141
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
10Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
12characterised by the composition or nature of the conductive material
14the material being non-metallic
141Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
H05B 3/283
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
3Ohmic-resistance heating
20Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
22non-flexible
28heating conductor embedded in insulating material
283the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
Déposants
  • WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING CO. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • LIN, Hongy [US]/[US] (UsOnly)
  • LASKOWSKI, Thomas [US]/[US] (UsOnly)
  • SMITH, Jason, E. [US]/[US] (UsOnly)
  • BLOCK, Daniel, J. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • LIN, Hongy
  • LASKOWSKI, Thomas
  • SMITH, Jason, E.
  • BLOCK, Daniel, J.
Mandataires
  • BURRIS, Kelly, K.
Données relatives à la priorité
10/431,75808.05.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MULTI-ZONE CERAMIC HEATING SYSTEM AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) SYSTEME DE CHAUFFAGE EN CERAMIQUE MULTIZONE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abrégé
(EN)
An improved heating system (10) for heating a semiconductor wafer during fabrication in a corrosive manufacturing environment is disclosed. The system (10) includes a novel ceramic heater (12) made of layered ceramic substrate (16) that has a plurality of heating elements (44) and temperature sensor arrangement (38) completely and directly embedded within the ceramic substrate (16) of the ceramic heater (12). The heating elements (44) and the temperature sensor arrangement (38) are constructed of a molybdenum and aluminum nitride composite that provides a low temperature coefficient of resistance which improves the operating efficiency of the ceramic heater (12). In operation, the temperature sensor arrangement (38) transmits temperature readings to a microprocessor (14) capable of controlling the heating elements (44) in such a manner as to provide a constant and uniform temperature distribution along the entire surface of the semiconductor wafer.
(FR)
L'invention concerne un système de chauffage amélioré (10) afin de chauffer une plaquette à semi-conducteur au cours de la fabrication dans un environnement de fabrication corrosif. Ce système (10) comprend un nouvel appareil de chauffage en céramique (12) fait d'un substrat en céramique en couches (16) qui présente une pluralité d'éléments de chauffage (44) et un arrangement de détection de température (38) entièrement et directement intégré dans le substrat en céramique (16) de l'appareil de chauffage en céramique (12). Les éléments de chauffage (44) et l'arrangement de détection de température (38) sont constitués d'un composite de molybdène et de nitrure d'aluminium qui fournit un coefficient de résistance à faible température améliorant l'efficacité du fonctionnement de l'appareil de chauffage en céramique (12). Au cours du fonctionnement, l'arrangement de détection de température (38) transmet les relevés de température à un microprocesseur (14) capable de contrôler les éléments de chauffage (44) de manière à fournir une répartition de température constante et uniforme sur toute le surface de la plaquette à semi-conducteur.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international