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1. (WO2004101856) PROCEDES DE FABRICATION ELECTROCHIMIQUE DE STRUCTURES AU MOYEN DE MASQUES ADHERENTS, PROCEDES D'INCORPORATION DE FEUILLES DIELECTRIQUES ET/OU DE COUCHES DE GERMES PARTIELLEMENT ELIMINEES PAR PLANARISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/101856    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/014300
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 07.05.2004
CIB :
C25D 5/02 (2006.01), C25D 5/10 (2006.01)
Déposants : MICROFABRICA INC. [US/US]; 1103 West Isabel Street, Burbank, CA 91506 (US)
Inventeurs : LOCKARD, Michael, S.; (US).
SMALLEY, Dennis, R.; (US).
LARSEN, Willa, M.; (US).
CHEN, Richard, T.; (US)
Mandataire : SMALLEY, Dennis, R.; Microfabrica Inc., 1103 West Isabel Street, Burbank, CA 91506 (US)
Données relatives à la priorité :
60/468,979 07.05.2003 US
60/469,053 07.05.2003 US
60/533,891 31.12.2003 US
Titre (EN) METHODS FOR ELECTROCHEMICALLY FABRICATING STRUCTURES USING ADHERED MASKS, INCORPORATING DIELECTRIC SHEETS, AND/OR SEED LAYERS THAT ARE PARTIALLY REMOVED VIA PLANARIZATION
(FR) PROCEDES DE FABRICATION ELECTROCHIMIQUE DE STRUCTURES AU MOYEN DE MASQUES ADHERENTS, PROCEDES D'INCORPORATION DE FEUILLES DIELECTRIQUES ET/OU DE COUCHES DE GERMES PARTIELLEMENT ELIMINEES PAR PLANARISATION
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present invention provide mesoscale or microscale three-dimensional structures (e.g. components, device, and the like). Embodiments relate to one or more of (1) the formation of such structures which incorporate sheets of dielectric material and/or wherein seed layer material (1226) used to allow electrodeposition (1228) over dielectric material (1224) is removed via planarization operations; (2) the formation of such structures wherein masks used for at least some selective patterning operations are obtained through transfer plating of masking material to a surface of a substrate or previously formed layer, and/or (3) the formation of such structures wherein masks (1224) used for forming at least portions of some layers are patterned on the build surface directly from data representing the mask configuration, e.g. in some embodiments mask patterning is achieved by selectively dispensing material via a computer controlled inkjet nozzle or array or via a computer controlled extrusion device.
(FR)L'invention concerne des structures tridimensionnelles à moyenne échelle ou à micro-échelle (des composants, un dispositif et analogues). Des modes de réalisation concernent au moins : (1) la formation de structures incorporant des feuilles de matériau diélectrique et/ou dans lesquelles un matériau couche de germes utilisé pour permettre l'électrodéposition sur un matériau diélectrique est éliminé par le biais d'opérations de planarisation ; et/ou (2) la formation de structures dans lesquelles des masques utilisés pour au moins certaines opérations de modelage sélectives sont obtenus par revêtement métallique de transfert d'un matériau de masquage sur une surface d'un substrat ou sur une couche formée précédemment; et/ou (3) la formation de structures dans lesquelles des masques utilisés pour former au moins des parties des certaines couches sont modelés sur la surface de construction, directement à partir de données représentant la configuration du masque. Dans certains modes de réalisation, le modelage du masque est par exemple réalisé par la distribution sélective de matériau au moyen d'une buse ou d'un réseau de jets d'encre commandés par ordinateur ou au moyen d'un dispositif d'extrusion commandé par ordinateur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)