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1. (WO2004101844) DEPOT DE COUCHES ACTIVE PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/101844    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/041981
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 18.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.07.2004    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Déposants : CARDINAL CG COMPANY [US/US]; 775 Prairie Center Drive, Suite 200, Eden Prairie, MN 55344 (US) (Tous Sauf US).
HARTIG, Klaus [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HARTIG, Klaus; (US)
Mandataire : SNUSTAD, Eric, J.; Fredrikson & Byron, P.A., 4000 Pillsbury Center, 200 South Sixth Street, Minneapolis, MN 55402-1425 (US)
Données relatives à la priorité :
60/434,522 18.12.2002 US
Titre (EN) PLASMA-ENHANCED FILM DEPOSITION
(FR) DEPOT DE COUCHES ACTIVE PAR PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides methods and equipment for depositing films. In certain embodiments, there is provided a deposition chamber having a substrate-coating region and an electrode-cleaning region. In these embodiments, an electrode is positioned in the deposition chamber and has an interior cavity in which first and second magnet systems are disposed. In certain embodiments, there is provided a method for depositing films onto substrates using a deposition chamber of the described nature. The invention also provides electrode assemblies for film-deposition equipment. In certain embodiments, the electrode assembly comprises a rotatable electrode (optionally having an outer coating of carbon or the like) having an interior cavity, with stationary first and second generally-opposed magnet systems being disposed in this interior cavity.
(FR)Cette invention porte sur des procédés et un appareil permettant de déposer des couches. Dans certains modes de réalisation, cette invention fait appel à une chambre de dépôt comprenant une zone de revêtement de substrats et une zone de nettoyage d'électrodes. Dans ces modes de réalisation, une électrode est placée dans la chambre de dépôt et comprend une cavité intérieure dans laquelle un premier et un second système magnétique sont disposés. Dans certains modes de réalisation, cette invention concerne un procédé permettant de déposer des couches sur des substrats à l'aide d'une chambre de dépôt telle que décrite plus haut. Cette invention concerne également des ensembles d'électrodes utilisés avec l'appareil de dépôt de couches. Dans certains modes de réalisation, l'ensemble d'électrodes comprend une électrode rotative (comportant éventuellement un revêtement externe de carbone ou analogue) comportant une cavité intérieure dans laquelle un premier et un second système magnétique généralement opposés sont disposés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)