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1. (WO2004100331) DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100331    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/006503
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 07.05.2004
CIB :
G02B 27/09 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
ZHENG, Yujin [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAN, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GAO, Xin [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ZHENG, Yujin; (JP).
KAN, Hirofumi; (JP).
GAO, Xin; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-132198 09.05.2003 JP
2003-167983 12.06.2003 JP
2003-284464 31.07.2003 JP
2003-419735 17.12.2003 JP
2004-020338 28.01.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a semiconductor laser device having a structure for reducing the angle of spread of the outgoing light and further reducing the spectrum width. The semiconductor laser device at least includes a semiconductor laser array, a collimator lens, an optical path conversion element, and an optical element having a reflection function. The collimator lens collimates a plurality of laser light fluxes from the semiconductor laser array in a predetermined direction. The optical path conversion element emits each of the light fluxes which has been collimated in the predetermined direction in a state that its cross section is rotated by 90 degrees and with a predetermined spread angle in the predetermined direction. The optical element is arranged at a position where at least a part of each light flux from the optical path conversion element reaches and constitutes at least a part of an external resonator. This optical element makes a part of each light flux from the optical path conversion element reflect so that the part of each light flux reflected is fed back to the active layer in the semiconductor laser array.
(FR)L'invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur qui présente une structure permettant de réduire l'angle de diffusion de la lumière sortante et de réduire la largeur de spectre. Ce dispositif laser à semi-conducteur comprend au moins un réseau laser à semi-conducteur, une lentille de collimation, un élément de conversion de voie optique et un élément optique ayant une fonction de réflexion. Cette lentille de collimation oriente dans une direction prédéterminée une pluralité de flux lumineux laser provenant du réseau laser à semi-conducteur. L'élément de conversion de voie optique émet chacun des flux lumineux ayant été orienté dans la direction prédéterminée dans un état dans lequel la section transversale desdits flux est tournée de 90 degrés et de façon qu'ils présentent un angle de diffusion prédéterminé dans la direction prédéterminée. L'élément optique est disposé dans une position dans laquelle au moins une partie de chaque flux lumineux de l'élément de conversion de voie optique atteint et constitue au moins une partie d'un résonateur extérieur. Cet élément optique réfléchit une partie de chaque flux lumineux de l'élément de conversion de voie de sorte que la partie de chaque flux lumineux réfléchie est renvoyée sur la couche active du réseau laser à semi-conducteur.
(JA)この発明は、出射光の拡がり角を小さくし、更にはスペクトル幅を狭くするための構造を備えた半導体レーザ装置に関する。当該半導体レーザ装置は、半導体レーザアレイ、コリメータレンズ、光路変換素子、及び反射機能を有する光学素子を少なくとも備える。コリメータレンズは、半導体レーザアレイからの複数レーザ光束を、所定方向に関してコリメートする。光路変換素子は、所定方向に関してコリメートされた各光束を、その横断面をほぼ90°回転させた状態で該所定方向に関して所定の拡がり角で出射する。そして、光学素子は、光路変換素子からの各光束の少なくとも一部が到達する位置に配置され、外部共振器の少なくとも一部を構成する。この光学素子は、光路変換素子からの各光束の一部を反射させることにより、該反射された各光束の一部を半導体レーザアレイにおける活性層に帰還させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)