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1. (WO2004100290) TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A AILETTES DE PLUSIEURS HAUTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100290    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/002647
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 30.01.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.03.2005    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NJ 10504 (US) (Tous Sauf US).
RAINEY, Beth, Ann [US/US]; (US) (US Seulement).
NOWAK, Edward, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
ALLER, Ingo, Dr. [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KEINERT, Joachim [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LUDWIG, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : RAINEY, Beth, Ann; (US).
NOWAK, Edward, J.; (US).
ALLER, Ingo, Dr.; (DE).
KEINERT, Joachim; (DE).
LUDWIG, Thomas; (DE)
Mandataire : PEPPER, Margaret, A.; International Business Machines Corporation, Dept. 18G, Building 300/482, 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
10/249,738 05.05.2003 US
Titre (EN) MULTI-HEIGHT FINFETS
(FR) TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A AILETTES DE PLUSIEURS HAUTEURS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a FinFET device that has a first fin and a second fin. Each fin has a channel region and source and drain regions that extend from the channel region. The fins have different heights. The invention has a gate conductor positioned adjacent the fins. The gate conductor runs perpendicular to the fins and crosses the channel region of each of the first fin and second fin. The fins are parallel to one another. The ratio of the height of the first fin to the height of the second fin comprises a ratio of one to 2/3. The ratio is used to tune the performance of the transistor and determines the total channel width of the transistor.
(FR)Cette invention se rapporte à un transistor à effet de champ à ailettes qui comprend une première et une seconde ailette. Chaque ailette possède une zone de canal et des zones de source et de drain qui s'étendent à partir de la zone de canal. Les ailettes ont des hauteurs différentes. Ce transistor à effet de champ comprend un conducteur de grille placé à proximité adjacente des ailettes, perpendiculairement à elles et de façon à croiser la zone de canal de chacune des première et seconde ailettes. Les ailettes sont parallèles entre elles. Le rapport entre la hauteur de la première ailette et la hauteur de la seconde ailette est compris entre 1 et 2/3. On utilise ce rapport pour régler les performances du transistor et pour déterminer la largeur de canal totale du transistor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)