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1. (WO2004100281) TRANSISTOR POLYMERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100281    N° de la demande internationale :    PCT/GB2004/002054
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 12.05.2004
CIB :
C07C 247/16 (2006.01), G03C 1/695 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE UNIVERSITY TECHNICAL SERVICES LIMITED [GB/GB]; The Old Schols, Trinity Lane, Cambridge CB2 1TS (GB) (Tous Sauf US).
CHUA, Lay-Lay [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
HO, Peter, Kian-Hoon [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
SIRRINGHAUS, Henning [DE/GB]; (GB) (US Seulement).
FRIEND, Richard, Henry [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CHUA, Lay-Lay; (SG).
HO, Peter, Kian-Hoon; (SG).
SIRRINGHAUS, Henning; (GB).
FRIEND, Richard, Henry; (GB)
Mandataire : SLINGSBY, Philip, Roy; Page White & Farrer, 54 Doughty Street, London WC1N 2LS (GB)
Données relatives à la priorité :
0310858.6 12.05.2003 GB
0408539.5 16.04.2004 GB
Titre (EN) POLYMER TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR POLYMERE
Abrégé : front page image
(EN)A transistor including a semiconductive layer; and a gate dielectric layer comprising an insulating polymer; characterised in that the insulating polymer is crosslinked and comprises one or more units having a low cohesive-energy-density and one or more crosslinking groups and the insulating polymer includes substantially no residual -OH leaving groups.
(FR)L'invention concerne un transistor comprenant une couche semi-conductrice; et une couche diélectrique de grille comprenant un polymère isolant; ce transistor est caractérisé en ce que le polymère isolant est réticulé et comprend un ou plusieurs motifs possédant un faible rapport énergie cohésive-densité et un ou plusieurs groupes de réticulation et en ce que le polymère isolant comprend sensiblement aucun groupe partant -OH résiduel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)