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1. (WO2004100266) MEMOIRE NON VOLATILE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100266    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/006485
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 07.05.2004
CIB :
H01L 27/11 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
MORITA, Kiyoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMADA, Noboru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAMOTO, Akihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHTSUKA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORITA, Kiyoyuki; (JP).
YAMADA, Noboru; (JP).
MIYAMOTO, Akihito; (JP).
OHTSUKA, Takashi; (JP).
TANAKA, Hideyuki; (JP)
Mandataire : SAEGUSA, Eiji; Kitahama TNK Building 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 541-0045 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-131338 09.05.2003 JP
Titre (EN) NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MEMOIRE NON VOLATILE ET PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 不揮発性メモリおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile memory comprising a first substrate (100) and a second substrate (110) is disclosed. The first substrate (100) comprises a plurality of switching devices (4) arranged as a matrix and a plurality of first electrodes (18) electrically connected to the respective switching devices (4). The second substrate (110) comprises a conductive film (32) and a recording layer (34) whose resistance is changed by applying an electric pulse. The first electrodes (18) are integrally covered with the recording layer (34), so that the recording layer (34) is held between the first electrodes (18) and the conductive film (32). The first substrate (100) further comprises a second electrode (22) which is electrically connected to the conductive film (32) and held at a certain voltage when current is passed through the recording layer (34). With this non-volatile memory, high integration can be realized at low cost.
(FR)L'invention concerne une mémoire non volatile comportant un premier substrat (100) et un deuxième substrat (110). Le premier substrat (100) comporte une pluralité d'éléments de commutation (4) disposés sous forme de matrice, et une pluralité de premières électrodes (18) électriquement connectées aux éléments de commutation respectifs (4). Le deuxième substrat (110) comporte une pellicule conductrice (32) et une couche d'enregistrement (34) dont la résistance est modifiée par application d'une impulsion électrique. Les premières électrodes (18) sont entièrement recouvertes par la couche d'enregistrement (34) de manière que cette dernière est comprise entre les premières électrodes (18) et la pellicule conductrice (32). Le premier substrat (100) comporte par ailleurs une deuxième électrode (22) électriquement connectée à la pellicule conductrice (32) et maintenue à une certaine tension lorsqu'un courant traverse la couche d'enregistrement (34). La mémoire non volatile selon l'invention permet de réaliser une intégration élevée à de faibles coûts.
(JA)第1の基板(100)と、第2の基板(110)とを備え、第1の基板(100)は、マトリクス状に配置された複数のスイッチング素子(4)と、各スイッチング素子(4)に電気的に接続された複数の第1の電極(18)とを有し、第2の基板(110)は、導電膜(32)と、電気的パルスが印加されることにより抵抗値が変化する記録層(34)とを有しており、 複数の第1の電極(18)は、記録層(34)により一体的に覆われており、これによって、複数の第1の電極(18)と導電膜(32)との間に記録層(34)が挟持され、第1の基板(100)は、第2の電極(22)をさらに備え、第2の電極(22)は、導電膜(32)と電気的に接続され、記録層(34)への通電時に一定電圧に保持される不揮発性メモリである。この不揮発性メモリによれば、高集積度を低コストで実現することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)