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1. WO2004100256 - DISPOSITIF MUNI D'UN CIRCUIT A SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2004/100256
Date de publication 18.11.2004
N° de la demande internationale PCT/DE2004/000821
Date du dépôt international 20.04.2004
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/76245
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76245using full isolation by porous oxide silicon, i.e. FIPOS techniques
Déposants
  • ROBERT BOSCH GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • SCHELLING, Christoph [DE]/[DE] (UsOnly)
  • VOSSENBERG, Heinz-Georg [DE]/[DE] (UsOnly)
  • DUELL, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SCHAEFER, Frank [DE]/[DE] (UsOnly)
  • BENZEL, Hubert [DE]/[DE] (UsOnly)
  • NITSCHE, Juergen [DE]/[DE] (UsOnly)
  • JUNGER, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MUCHOW, Joerg [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • SCHELLING, Christoph
  • VOSSENBERG, Heinz-Georg
  • DUELL, Andreas
  • SCHAEFER, Frank
  • BENZEL, Hubert
  • NITSCHE, Juergen
  • JUNGER, Andreas
  • MUCHOW, Joerg
Représentant commun
  • ROBERT BOSCH GMBH
Données relatives à la priorité
103 20 201.307.05.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VORRICHTUNG MIT EINER HALBLEITERSCHALTUNG
(EN) DEVICE COMPRISING A SEMICONDUCTOR CIRCUIT
(FR) DISPOSITIF MUNI D'UN CIRCUIT A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(DE)
Es wird eine Vorrichtung mit einer Halbleiterschaltung (21) und einem Substrat (10) vorgeschlagen, wobei eine thermische und/oder mechanische Entkopplung mittels einer Entkopplungsstruktur (30, 31) vorgesehen ist.
(EN)
The invention relates to a device comprising a semiconductor circuit (21) and a substrate (10). A thermal and/or mechanical decoupling is provided by a decoupling structure (30, 31).
(FR)
L'invention concerne un dispositif muni d'un circuit à semi-conducteurs (21) et d'un substrat (10). Il est prévu un découplage thermique et/ou mécanique au moyen d'une structure de découplage (30, 31).
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