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1. (WO2004100250) PILE SOLAIRE A FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100250    N° de la demande internationale :    PCT/SE2004/000689
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 05.05.2004
CIB :
H01L 21/363 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/072 (2006.01)
Déposants : SOLIBRO AB [--/SE]; Ultuna, S-756 51 Uppsala (SE) (Tous Sauf US).
PLATZER BJÖRKMAN, Charlotte [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
KESSLER, John [FR/SE]; (SE) (US Seulement).
STOLT, Lars [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : PLATZER BJÖRKMAN, Charlotte; (SE).
KESSLER, John; (SE).
STOLT, Lars; (SE)
Mandataire : DR LUDWIG BRANN PATENTBYRÅ AB; Box 17192, S-104 62 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
0301350-5 08.05.2003 SE
Titre (EN) A THIN-FILM SOLAR CELL
(FR) PILE SOLAIRE A FILM MINCE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to thin-film solar cells of the CIGS-type. A characteristic feature of the invention is the use of two integrally formed buffer layers, a first ALD Zn(O,S) buffer layer (7) on top of the CIGS-layer (3) and a second ALD ZnO-buffer layer (8) on top of the first (7) buffer layer. Both buffer layers are deposited in the same process step using ALD (atom layer deposition). The invention also relates to a method of producing the cell and a process line for manufacturing of the cell structure.
(FR)Cette invention se rapporte à des piles solaires à film mince du type CIGS. Cette invention se caractérise par l'utilisation de deux couches tampons formées solidaires, une première couche tampon de Zn(O,S) ALD (7) située sur la couche CIGS (3) et une seconde couche tampon de ZnO ALD (8) placée sur la première couche tampon (7). Les deux couches tampons sont déposées dans la même étape du processus par la technique de dépôt de couches par procédé atomique (ALD). Cette invention concerne également un procédé pour produire une telle pile solaire et une chaîne de traitement pour la fabrication de la structure de la pile (FIG. 2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)