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1. (WO2004100246) PROCEDE DE NETTOYAGE D'APPAREIL DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100246    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/005798
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 22.04.2004
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP).
HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; (US Seulement)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP).
HIRAYAMA, Masaki;
Mandataire : GOTO, Yosuke; The Third Mori Building 4-10, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-130543 08.05.2003 JP
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE NETTOYAGE D'APPAREIL DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置のクリーニング方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for cleaning a microwave plasma processing apparatus is disclosed wherein a cleaning gas is introduced and then excited with microwave plasma (step 3). By applying high-frequency power to a substrate supporting stage by which a substrate to be processed is supported (step 4), the etching rate is improved, thereby shortening the cleaning time.
(FR)L'invention concerne un procédé de nettoyage d'un appareil de traitement au plasma micro-onde, un gaz de nettoyage étant introduit et, puis, excité avec le plasma micro-onde (étage 3). L'application d'une puissance de haute fréquence sur un étage de support de substrat au moyen duquel un substrat à traiter est soutenu (étage 4) permet d'améliorer le facteur de morsure et, donc, de diminuer le temps de nettoyage.
(JA)マイクロ波プラズマ処理装置のクリーニング方法において、クリーニングガスを導入して当該クリーニングガスをマイクロ波プラズマで励起する(ステップ3)。さらに、被処理基板を保持する基板保持台に高周波電力を印加(ステップ4)し、エッチング速度を向上させることにより、クリーニング時間を短縮することを可能とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)