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1. (WO2004100244) PROCEDE POUR TEXTURER DES SURFACES DE TRANCHES DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100244    N° de la demande internationale :    PCT/DE2004/000835
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 22.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.01.2005    
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C30B 33/10 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITÄT KONSTANZ [DE/DE]; Universitätsstrasse 10, 78464 Konstanz (DE) (Tous Sauf US).
HAUSER, Alexander [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MELNYK, Ihor [UA/UA]; (UA) (US Seulement).
FATH, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HAUSER, Alexander; (DE).
MELNYK, Ihor; (UA).
FATH, Peter; (DE)
Mandataire : RACKETTE PARTNERSCHAFT PATENTANWÄLTE; Kaiser-Joseph-Strasse 179, Postfach 13 10, 79013 Freiburg (DE)
Données relatives à la priorité :
103 20 212.9 07.05.2003 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM TEXTURIEREN VON OBERFLÄCHEN VON SILIZIUM-SCHEIBEN
(EN) METHOD FOR TEXTURING SURFACES OF SILICON WAFERS
(FR) PROCEDE POUR TEXTURER DES SURFACES DE TRANCHES DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(DE)Bei einem Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben mit den Schritten des Eintauchens der Silizium-Scheiben in einer Ätzlösung aus Wasser, konzentrierter Flusssäure und konzentrierter Salpetersäure und des Einstellens einer Temperatur für die Ätzlösung ist vorgesehen, dass die Ätzlösung anteilig aus 20% bis 55% Wasser, 10% bis 40% konzentrierter Flusssäure und 20% bis 60% konzentrierter Salpetersäure besteht und dass die Temperatur der Ätzlösung zwischen 0 Grad Celsius und 15 Grad Celsius liegt. Dadurch ergibt sich ein verhältnismässig hoher Wirkungsgrad aufgrund verringerter Reflexionen der Silizium-Scheiben.
(EN)Disclosed is a method for texturing surfaces of silicon wafers, comprising the steps of dipping the silicon wafers into an etching solution containing water, concentrated hydrofluoric acid, and concentrated nitric acid, and adjusting the temperature of the etching solution. According to the inventive method, the etching solution comprises 20 to 55 percent of water, 10 to 40 percent of concentrated hydrofluoric acid, and 20 to 60 percent of concentrated nitric acid while the temperature of the etching solution ranges between 0 and 15 degrees Celsius, resulting in a relatively high degree of efficiency due to reduced reflections of the silicon wafers.
(FR)L'invention concerne un procédé pour texturer des surfaces de tranches de silicium, comportant les étapes consistant à: plonger les tranches de silicium dans une solution d'attaque constituée d'eau, d'acide fluorhydrique concentré et d'acide nitrique concentré; et ajuster une température pour la solution d'attaque. Selon l'invention, la solution d'attaque est constituée de 20 % à 55 % d'eau, de 10 % à 40 % d'acide fluorhydrique concentré et de 20 % à 60 % d'acide nitrique concentré. La température de la solution d'attaque est comprise entre 0 °C et 15 °C. On obtient ainsi des tranches de silicium présentant un rendement relativement élevé en raison de leur réflexion réduite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)