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1. (WO2004100243) COMPOSITION PATEUSE POUR POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE PERMETTANT DE COMPENSER L'EFFET DE NANOTOPOGRAPHIE ET PROCEDE DE PLANARISATION DE LA SURFACE D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS AU MOYEN DE CETTE COMPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100243    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/006595
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 11.05.2004
CIB :
C09G 1/02 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (Tous Sauf US).
HANYANG HAK WON CO., LTD. [KR/KR]; 17, Haengdang 1-dong Seongdong-gu, Seoul (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Jea, Gun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KATOH, Takeo [JP/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Won, Mo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KANG, Hyun, Goo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Sung, Jun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PAIK, Un, Gyu [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Jea, Gun; (KR).
KATOH, Takeo; (KR).
LEE, Won, Mo; (KR).
KANG, Hyun, Goo; (KR).
KIM, Sung, Jun; (KR).
PAIK, Un, Gyu; (KR)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu Chuo-ku, Tokyo 1048453 (JP)
Données relatives à la priorité :
10-2003-0029678 12.05.2003 KR
Titre (EN) SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING CAPABLE OF COMPENSATING NANOTOPOGRAPHY EFFECT AND METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
(FR) COMPOSITION PATEUSE POUR POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE PERMETTANT DE COMPENSER L'EFFET DE NANOTOPOGRAPHIE ET PROCEDE DE PLANARISATION DE LA SURFACE D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS AU MOYEN DE CETTE COMPOSITION
(JA) ナノトポグラフィ効果を補償し得る化学機械的研磨用スラリー組成物およびこれを利用した半導体素子の表面平坦化方法
Abrégé : front page image
(EN)A slurry composition for chemical-mechanical polishing capable of compensating the nanotopography effect present on the surface of a wafer, and a method for planarizing the surface of a semiconductor device using the composition. The slurry composition contains abrasive particles and an additive to compensate the nanotopography effect in a chemical-mechanical polishing step for polishing an oxide layer formed on a wafer. The size of the abrasive particles and the concentration of the additive are optimized in constant ranges so as to control the deviation of the thickness (OTD) of the oxide layer below a constant level when measured after the chemical-mechanical polishing step.
(FR)L'invention concerne une composition pâteuse pour le polissage mécano-chimique, cette composition permettant de compenser l'effet de nanotopographie présent à la surface d'une plaquette, ainsi qu'un procédé de planarisation de la surface d'un dispositif à semi-conducteurs au moyen de cette composition. Ladite composition pâteuse contient des particules abrasives et un additif pour compenser l'effet de nanotopographie au cours d'une étape de polissage mécano-chimique visant à polir une couche d'oxyde formée sur une plaquette. La taille des particules abrasives et la concentration de l'additif sont optimisées dans des plages constantes de sorte que l'écart de l'épaisseur (OTD) de la couche d'oxyde, mesuré après l'étape de polissage mécano-chimique, soit réglé au-dessous d'un niveau constant.
(JA)ウェハの表面に存在するナノトポグラフィ効果を補償し得る化学機械的研磨用スラリー組成物およびこれを利用した半導体素子の表面平坦化方法が開示される。本発明のスラリー組成物は、ウェハ表面に形成された酸化物層に対する化学機械的研磨の工程時に、ナノトポグラフィの効果を補償するための化学機械的研磨用スラリー組成物において、研磨粒子および添加剤を含み、前記化学機械的研磨の工程後に前記酸化物層の厚み偏差(OTD)を一定の水準以下に制御するため、前記研磨粒子のサイズおよび前記添加剤の濃度が一定の範囲に最適化される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)