WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2004100242) LIQUIDE DE POLISSAGE POUR POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE ET PROCEDE DE POLISSAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100242    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/006027
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 07.05.2004
CIB :
C09G 1/02 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01)
Déposants : SANYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 11-1 Ikkyo Nomoto-cho, Higashiyama-ku, Kyoto-shi Kyoto 6050995 (JP) (Tous Sauf US).
ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [US/US]; 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810 (US) (Tous Sauf US).
NAKANO, Tomoharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAJIMA, Fumihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAZAKI, Tadakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
BROWN, Duncan [US/US]; (US Seulement).
HEALY, Matthew D. [US/US]; (US Seulement)
Inventeurs : NAKANO, Tomoharu; (JP).
NAKAJIMA, Fumihiro; (JP).
MIYAZAKI, Tadakazu; (JP).
BROWN, Duncan; .
HEALY, Matthew D.;
Mandataire : YOSHIKAWA, Toshio; Murahama Bldg., 6F Higashinoda-cho 4-chome Miyakojima-ku, Osaka-shi, Osaka 5340024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-131406 09.05.2003 JP
2003-168596 13.06.2003 JP
Titre (EN) POLISHING LIQUID FOR CMP PROCESS AND POLISHING METHOD
(FR) LIQUIDE DE POLISSAGE POUR POLISSAGE MECANO-CHIMIQUE ET PROCEDE DE POLISSAGE
(JA) CMPプロセス用研磨液及び研磨方法
Abrégé : front page image
(EN)A polishing liquid for CMP processes is characterized by comprising an abrasive, an aqueous solvent and an additive, and by containing 15 weight% or more of abrasive particles based on the weight of the polishing liquid which particles have particle diameters of 20-80 nm. A polishing method using such a polishing liquid is also disclosed. The polishing liquid is suitable for surface planarization process of a device wafer which is provided with at least a silicon oxide film, and stably exhibits excellent polishing characteristics such as planarization properties, low scratch properties, high cleaning properties, and the like. Consequently, the polishing liquid is most suitable for surface planarization process of semiconductor device and magnetic heads in semiconductor industry which have interlayer insulating films or interdevice isolation films and surface planarization process of substrates for liquid crystal displays.
(FR)L'invention concerne un liquide de polissage pour polissage mécano-chimique. Ce liquide se caractérise en ce qu'il contient un abrasif, un solvant aqueux et un additif, et au moins 15 % en poids de particules abrasives présentant un diamètre de particule compris entre 20 et 80 nm. L'invention concerne également un procédé de polissage utilisant ledit liquide. Le liquide selon l'invention est adapté pour un processus de planarisation de surface d'une plaquette de dispositif comprenant au moins un film d'oxyde de silicium. Il présente également d'excellentes caractéristiques de polissage, telles que des propriétés de planarisation, des propriétés anti-griffures, de très bonnes propriétés de nettoyage et analogues. Ledit liquide est donc adapté pour être utilisé dans la planarisation de surface d'un dispositif semiconducteur et de têtes magnétiques, dans l'industrie des semiconducteurs qui utilise des films d'isolation intercouche ou interdispositif, et qui met en oeuvre la planarisation de surface de substrats destinés à des dispositifs d'affichage à cristaux liquides.
(JA) 研磨材、水系溶媒及び添加剤からなり、粒子径20~80nmの研磨材粒子を研磨液の重量に基づいて15重量%以上含有することを特徴とするCMPプロセス用研磨液;及び該研磨液を用いて研磨する研磨方法であって、少なくとも酸化珪素膜が形成されたデバイスウェハーの表面平坦化加工に適し、平坦化特性、低キズ特性、高洗浄特性等優れた研磨特性を安定して発揮しうる効果を奏し、半導体産業等における層間絶縁膜又は素子分離膜からなる半導体デバイスや磁気ヘッド及び液晶ディスプレー用基板の表面平坦化加工に最適である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)