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1. (WO2004100223) PROCEDE DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS AVEC ENTRETOISES CONDUCTRICES ASYMETRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100223    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/013377
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 30.04.2004
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
MATHEW, Leo [IN/US]; (US) (US Seulement).
RAMACHANDRAN, Muralidhar [US/US]; (US) (US Seulement).
MILLER, James, W. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MATHEW, Leo; (US).
RAMACHANDRAN, Muralidhar; (US).
MILLER, James, W.; (US)
Mandataire : KING, Robert, L.; Corporate Law Department, Intellectual Property Section, 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, Texas 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
10/427,141 30.04.2003 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR FABRICATION PROCESS WITH ASYMMETRICAL CONDUCTIVE SPACERS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS AVEC ENTRETOISES CONDUCTRICES ASYMETRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor process and resulting transistor includes forming conductive extension spacers (146, 150) on either side of a gate electrode (116). Conductive extensions (146, 150) and gate electrode 116 are independently doped such that each of the structures may be n-type or p-type. Source/drain regions (156) are implanted laterally disposed on either side of the spacers (146, 150). Spacers (146, 150) may be independently doped by using a first angled implant (132) to dope first extension spacer (146) and a second angled implant (140) to dope second spacer (150). In one embodiment, the use of differently doped extension spacers (146, 150) eliminates the need for threshold adjustment channel implants.
(FR)Cette invention concerne un précédé de fabrication de semi-conducteurs pour transistors, consistant à former des entretoises-rallonges conductrices (146, 150) de part et d'autre d'une électrode de grille (116). Les rallonges conductrices (146, 150) et l'électrode de grille (116) sont dopées indépendamment de sorte que chacune de ces structures peut être de type n ou de type p. Des régions de source/drain (156) sont disposées latéralement de chaque côté des entretoises (146, 150). Lesdites entretoises (146, 150) peuvent être dopées indépendamment l'une de l'autre, au moyen d'un premier implant oblique (132) pour la première entretoise (146) et d'un second implant oblique (140) pour la seconde entretoise (150). Dans un mode de réalisation, l'emploi d'électrodes-rallonges à dopage différent (146, 150) évite de devoir utiliser des implants de canal à réglage de seuil.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)