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1. (WO2004100169) ARCHITECTURE MRAM COMPRENANT UNE LIGNE DE BITS SITUEE EN DESSOUS D'UN DISPOSITIF DE JONCTION TUNNEL MAGNETIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100169    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/014057
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 05.05.2004
CIB :
H01L 29/76 (2006.01)
Déposants : APPLIED SPINTRONICS TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 830 Hillview Court, Suite 100, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
TSANG, David [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TSANG, David; (US)
Mandataire : MITCHELL, Janyce, R.; Sawyer Law Group LLP, P.O. Box 51418, Palo Alto, CA 94303 (US)
Données relatives à la priorité :
60/467,529 05.05.2003 US
10/688,250 16.10.2003 US
Titre (EN) MRAM ARCHITECTURE WITH A BIT LINE LOCATED UNDERNEATH THE MAGNETIC TUNNELING JUNCTION DEVICE
(FR) ARCHITECTURE MRAM COMPRENANT UNE LIGNE DE BITS SITUEE EN DESSOUS D'UN DISPOSITIF DE JONCTION TUNNEL MAGNETIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for providing and using a magnetic memory are disclosed. The method and system include providing a plurality of magnetic memory cells (100), at least a first write line (110), and at least a second write line (112). Each of the magnetic memory cells includes a magnetic element having a top and a bottom. The first write line(s) are connected to the bottom of magnetic element (30) of the first portion of the plurality of magnetic memory cells. The second write line(s) reside above the top of the magnetic element of each of a second portion of the magnetic memory cells. The second write line(s) are electrically insulated from the magnetic element of each of the second portion of the plurality of magnetic memory cells.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système de mise au point et d'utilisation d'une mémoire magnétique. On utilise dans ce procédé et ce système une pluralité de cellules de mémoire magnétiques, au moins une première ligne d'écriture et au moins une seconde ligne d'écriture. Chaque cellule de mémoire magnétique comprend un élément magnétique avec une partie supérieure et une partie inférieure. La ou les premières lignes d'écriture sont connectées à la partie inférieure de l'élément magnétique d'un premier ensemble de la pluralité de cellules de mémoire magnétiques. La ou les secondes lignes d'écriture se situent au-dessus de la partie supérieure de l'élément magnétique de chaque cellule d'un second ensemble de cellules de mémoire magnétiques. Les secondes lignes d'écriture sont isolées d'un point de vue électrique de l'élément magnétique de chaque cellule du second ensemble de la pluralité de cellules de mémoire magnétiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)