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1. (WO2004100168) DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/100168    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/002035
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 20.02.2004
CIB :
G11B 33/14 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
ISHIBASHI, Kenzo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
GOTOH, Katsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YUKIMASA, Takatoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ICHINOSE, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ISHIBASHI, Kenzo; (JP).
GOTOH, Katsumi; (JP).
YUKIMASA, Takatoshi; (JP).
ICHINOSE, Makoto; (JP)
Mandataire : YAMAMOTO, Shusaku; Fifteenth Floor, Crystal Tower, 2-27, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406015 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-130104 08.05.2003 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor laser device is disclosed which comprises a mechanism unit including a semiconductor laser, a first frame for holding the mechanism unit and dissipating the heat generated in the mechanism unit, a control unit for controlling the mechanism unit, and a second frame for holding the control unit and dissipating the heat generated in the control unit, and a joint unit for adiabatically connecting the first frame and the second frame.
(FR)L'invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur comprenant un mécanisme possédant un laser à semi-conducteur, un premier cadre servant à soutenir ce mécanisme et à dissiper la chaleur générée dans ce dernier, une unité de commande servant à commander ce mécanisme, un deuxième cadre servant à maintenir l'unité de commande et à dissiper la chaleur générée dans celle-ci, ainsi qu'un joint adiabatique servant à accoupler le premier cadre et le deuxième cadre.
(JA) 本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザを含む機構部と、機構部を保持し、機構部において発生する熱を放熱する第1のフレームと、機構部を制御する制御部と、制御部を保持し、制御部において発生する熱を放熱する第2のフレームと、第1のフレームと第2のフレームとを断熱的に結合する結合部とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)