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1. WO2004099296 - MATERIAUX NANOPOREUX APPROPRIES A UNE UTILISATION DANS LES SEMICONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2004/099296
Date de publication 18.11.2004
N° de la demande internationale PCT/NL2004/000242
Date du dépôt international 09.04.2004
CIB
H01L 21/312 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312Couches organiques, p.ex. couche photosensible
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/532 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532caractérisées par les matériaux
CPC
C03C 17/32
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
17Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
28with organic material
32with synthetic or natural resins
C04B 2111/00482
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2111Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
00474Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
00482Coating or impregnation materials
C04B 2111/00612
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2111Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
00474Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
00612as one or more layers of a layered structure
C04B 2111/00844
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2111Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
00474Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
00844for electronic applications
C04B 2201/32
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2201Mortars, concrete or artificial stone characterised by specific physical values
30for heat transfer properties such as thermal insulation values, e.g. R-values
32for the thermal conductivity, e.g. K-factors
C04B 38/0615
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
38Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
06by burning-out added substances ; by burning natural expanding materials or by sublimating or melting out added substances
0615the burned-out substance being a monolitic element having approximately the same dimensions as the final article, e.g. a porous polyurethane sheet or a prepreg obtained by bonding together resin particles
Déposants
  • DSM IP ASSETS B.V. [NL]/[NL] (AllExceptUS)
  • JAHROMI, Shahab [NL]/[NL] (UsOnly)
Inventeurs
  • JAHROMI, Shahab
Mandataires
  • DORRESTIJN, Antoon
Données relatives à la priorité
03101241.205.05.2003EP
60/46757305.05.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) NANOPOROUS MATERIALS SUITABLE FOR USE IN SEMICONDUCTORS
(FR) MATERIAUX NANOPOREUX APPROPRIES A UNE UTILISATION DANS LES SEMICONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
The composition according to the invention, comprises: (a) a porogen network system capable of forming a network comprising at least a functionalised porogen (i); (b) a resin; (c) a catalyst; and (d) an inert solvent. Surprisingly it has been shown that the composition according to the invention is suitable for use in a spin coating composition whilst not being susceptible to macroscopic phase separation. This allows the formation of a nanoporous material, having a low dielectric constant (k).
(FR)
L'invention concerne une composition qui comprend: (a) un système à réseau porogène capable de former un réseau renfermant au moins un porogène fonctionnalisé (i); (b) une résine; (c) un catalyseur; et (d) un solvant inerte. On a constaté avec surprise que ladite composition se prêtait à une utilisation en application par centrifugation, mais sans risque de séparation de phase macroscopique. On peut ainsi élaborer un matériau nanoporeux à faible constante diélectrique.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international