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1. (WO2004099072) PROCEDE ET DISPOSITIF DE FABRICATION POUR NANOTUBE DE CARBONE A COUCHE UNIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/099072    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/002491
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 01.03.2004
CIB :
C01B 31/02 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
ANDO, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKOCHI, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ZHAO, Xinluo [CN/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Sakae [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ANDO, Yoshinori; (JP).
OKOCHI, Masato; (JP).
ZHAO, Xinluo; (JP).
INOUE, Sakae; (JP)
Mandataire : OGURA, Wataru; 201, Ono-Senkawa Bldg. 23-7, Kanamecho 3-chome Toshima-ku, Tokyo 171-0043 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-132770 12.05.2003 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD AND DEVICE FOR SINGLE LAYER CARBON NANOTUBE
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE FABRICATION POUR NANOTUBE DE CARBONE A COUCHE UNIQUE
(JA) 単層カーボンナノチューブの製造方法及び装置
Abrégé : front page image
(EN)AC arc discharge A is generated between graphite electrodes (20R, 20L) oppositely provided in a direction perpendicular to the pipe axis in a reaction container (10) kept in an H2-Ar mixture gas atmosphere to produce net-like deposit of a single-layer carbon nanotube in a space formed by connecting the graphite electrodes (20R, 20L) with the inner wall of the reaction container (10). Next, when an atmosphere in the reaction container (10) is switched to an O2-Ar mixture gas and the interior of the reaction container (10) is heated by a heating mechanism (14), carbon impurities such as carbon nano-particles and amorphous carbon contained in the net-like deposit are gasified and removed from the net-like deposit. Accordingly, a single-layer carbon nanotube can be produced and refined using the same reaction container (10) to produce a high-purity, single-layer nanotube easily.
(FR)Une décharge en arc A est générée entre deux électrodes de graphite (20R, 20L), opposées en suivant une direction perpendiculaire à l'axe du tuyau dans un récipient de réaction (10) placé dans une atmosphère de gaz de mélange H2-Ar de manière à produire un dépôt de type en filet d'un nanotube de carbone à couche unique dans un espace formé par la connexion des électrodes de graphite (20R, 20L) avec une paroi interne du récipient de réaction (10). Lorsqu'une température dans le récipient de réaction (10) est commutée sur un mélange O2-Ar, et que l'intérieur du récipient de réaction (10) est réchauffé par un mécanisme de réchauffement (14), des impuretés de carbone telles que les nanoparticules de carbone et le carbone amorphe contenues dans le dépôt de type en filet sont transformées en gaz et évacuées du dépôt de type de carbone. On peut ainsi fabriquer et raffiner un nanotube de carbone à couche unique en utilisant le même récipient de réaction (10) pour produire aisément des nanotubes haute pureté à couche unique.
(JA)H2,Arの混合ガス雰囲気に維持した反応容器10内で管軸直交方向に対向させたグラファイト電極20R,20L間に交流アーク放電Aを発生させ、グラファイト電極20R,20Lと反応容器10の内壁を結ぶ空間に単層カーボンナノチューブのネット状堆積物を生成させる。次いで、反応容器10の雰囲気をO2,Arの混合ガスに切り替え、加熱機構14で反応容器10内を昇温すると、ネット状堆積物に含まれているカーボンナノ粒子,アモルファスカーボン等の不純物炭素がネット状堆積物からガス化・除去される。同じ反応容器10を用いた単層カーボンナノチューブの生成,精製が可能で、高純度の単層カーボンナノチューブが容易に作製される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)