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1. (WO2004098259) TRAITEMENT AU PLASMA POUR PURIFIER DU CUIVRE OU DU NICKEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/098259    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/004904
Date de publication : 18.11.2004 Date de dépôt international : 07.05.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.02.2005    
CIB :
B08B 7/00 (2006.01), B23K 1/20 (2006.01), C23G 5/00 (2006.01)
Déposants : KOLEKTOR GROUP D.O.O. [SI/SI]; Vojkova 10, p.p. 85, 5280 Idrija (SI) (Tous Sauf US).
MOZETIC, Miran [SI/SI]; (SI) (US Seulement).
CVELBAR, Uros [SI/SI]; (SI) (US Seulement)
Inventeurs : MOZETIC, Miran; (SI).
CVELBAR, Uros; (SI)
Mandataire : GRÄTTINGER & PARTNER; Wittelsbacherstrasse 5, 82319 Starnberg (DE)
Données relatives à la priorité :
103 20 472.5 08.05.2003 DE
Titre (DE) PLASMABEHANDLUNG ZUR REINIGUNG VON KUPFER ODER NICKEL
(EN) PLASMA TREATMENT FOR PURIFYING COPPER OR NICKEL
(FR) TRAITEMENT AU PLASMA POUR PURIFIER DU CUIVRE OU DU NICKEL
Abrégé : front page image
(DE)Ein Verfahren zur Behandlung von elektronischen Bauteilen, die aus Kupfer oder Nickel oder ihren Legierungen untereinander oder mit anderen Materialien wie etwa Messing hergestellt sind oder damit überzogen sind, umfasst folgende Schritte: Anordnen der Bauteile in einer Behandlungskammer; Evakuieren der Behandlungskammer; Einleiten von Sauerstoff in die Behandlungskammer; Sicherstellen eines Drucks im Bereich von 10-1 bis 50 mbar in der Behandlungskammer und Anregen eines Plasmas in der Kammer durch einen Hochfrequenzgenerator mit einer Frequenz von mehr als etwa 1 MHz; Einwirken von Sauerstoffradikalen auf die Bauelemente, wobei der Fluss der Radikale auf die Bauteiloberfläche mehr als etwa 1021 Radikale pro Quadratmeter pro Sekunde beträgt; Auspumpen der Kammer; Einleiten von Wasserstoff in die Behandlungskammer; Sicherstellen eines Drucks im Bereich von 10-1 bis 50 mbar in der Behandlungskammer und Anregen eines Plasmas in der Kammer durch einen Hochfrequenzgenerator mit einer Frequenz von mehr als etwa 1 MHz; Einwirken von Wasserstoffradikalen auf die Bauelemente, wobei der Fluss der Radikale auf die Bauteiloberfläche mehr als etwa 1021 Radikale pro Quadratmeter pro Sekunde beträgt
(EN)The invention concerns a method for treating electronic components made of copper, nickel or alloys thereof or with materials such as brass or plated therewith. The inventive method comprises the following steps which consist in: arranging the components in a treatment chamber, generating a vacuum in the treatment chamber, introducing oxygen into the treatment chamber, providing a pressure ranging between 10-1 and 50 mbar in the treatment chamber and exciting a plasma in the chamber by means of a high frequency generator having a frequency higher than about 1 MHz, allowing the oxygen radicals to act on the components, the flow of the radicals on the surface of the components being more than 1021 radicals per square meter per second approximately, generating a vacuum in the treatment chamber, introducing hydrogen into the treatment chamber, providing a pressure ranging between 10-1 and 50 mbar in the treatment chamber and exciting a plasma in the chamber by means of a high frequency generator having a frequency higher than about 1 MHz, and allowing the hydrogen radicals to act on the components, the flow of the radicals on the surface of the components being higher than 1021 radicals per square meter per second approximately.
(FR)L'invention concerne un procédé servant à traiter des composants électroniques produits à partir de cuivre, de nickel ou de leurs alliages ou à l'aide d'autres matériaux comme le laiton ou qui en sont revêtus. Le procédé selon l'invention comprend les étapes suivantes consistant à agencer les composants dans une chambre de traitement, à faire le vide dans la chambre de traitement, à introduire de l'oxygène dans la chambre de traitement, à garantir une pression comprise entre 10-1 et 50 mbars dans la chambre de traitement et à exciter un plasma dans la chambre au moyen d'un générateur haute fréquence ayant une fréquence supérieure à 1 MHz environ, à laisser agir des radicaux oxygène sur les composants, l'écoulement des radicaux sur la surface des composants étant de plus de 1021 radicaux par mètre carré par seconde environ, à faire le vide dans la chambre de traitement, à introduire de l'hydrogène dans la chambre de traitement, à garantir une pression comprise entre 10-1 et 50 mbars dans la chambre de traitement et à exciter un plasma dans la chambre au moyen d'un générateur haute fréquence ayant une fréquence supérieure à 1 MHz environ, et à laisser agir des radicaux hydrogène sur les composants, l'écoulement des radicaux sur la surface des composants étant de plus de 1021 radicaux par mètre carré par seconde environ.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)