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1. (WO2004098001) AMPLIFICATEUR LASER A PLAQUE EN ZIGZAG PRESENTANT UNE SURFACE REFLECTRICE INTEGREE ET PROCEDE CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/098001    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/013124
Date de publication : 11.11.2004 Date de dépôt international : 28.04.2004
CIB :
H01S 3/06 (2006.01), H01S 3/23 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Steet, Waltham, MA 02451-1449 (US)
Inventeurs : REEDER, Robin, A.; (US).
MATTHEWS, Steven, C.; (US).
BETIN, Alexander, A.; (US)
Mandataire : GUNTHER, John, E.; Raytheon Company, (EO/E4/N119), 2000 East El SEgundo Boulevard, P.O. Box 902, El Segundo, CA 90245-0902 (US)
Données relatives à la priorité :
10/425,578 29.04.2003 US
Titre (EN) ZIGZAG SLAB LASER AMPLIFIER WITH INTEGRAL REFLECTIVE SURFACE AND METHOD
(FR) AMPLIFICATEUR LASER A PLAQUE EN ZIGZAG PRESENTANT UNE SURFACE REFLECTRICE INTEGREE ET PROCEDE CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN)A solid-state laser beam amplifier with integrated reflective surface. A rectangular slab gain medium (50) receives a first portion of an input laser beam along a first zigzag reflection path within the slab. The gain medium (50) also receives a second portion of the input laser beam that has been reflected from an integral reflective surface (56) such that the two portions traverse the gain medium (50) along complementary zigzag paths. The zigzag paths are defined by total internal reflection of the beam portions as they propagate through the gain medium slab (50). A similar reflective surface (58) may be positioned relative to the exit end of the gain medium slab (50), which redirects all of the output beam portions in a parallel direction. The gain medium (50) may be Ytterbium or neodymium doped yttrium aluminum garnet. The gain medium (50) may be formed as a high aspect ration rectangular slab and may be clad with sapphire. The reflective surfaces may function by total internal reflection or may employ a reflective material, such as a dielectric coating. A section of undoped medium (52) may be applied to the entrance or exit end of the gain medium slab to control angles of incidence and refraction.
(FR)L'invention concerne un amplificateur de faisceau laser à semiconducteurs présentant une surface réflectrice intégrée. Un matériau de gain de plaque rectangulaire (50) reçoit une première partie d'un faisceau laser d'entrée le long d'une première voie de réflexion en zigzag dans la plaque. Le matériau de gain (50) reçoit également une deuxième partie du faisceau laser d'entrée ayant été réfléchie par une surface réflectrice intégrée (56) de telle manière que les deux parties traversent le matériau de gain (50) le long de voies en zigzag complémentaires. Les voies en zigzag sont définies par réflexion interne totale des deux parties de faisceau lorsque celles-ci se propagent au travers de la plaque de matériau de gain (50). Une surface réflectrice similaire peut être disposée par rapport à l'extrémité de sortie de la plaque de matériau de gain (50) qui redirige toutes les parties de faisceau de sortie dans une direction parallèle. Le matériau de gain (50) peut être du grenat d'aluminium d'yttrium dopé à l'ytterbium ou au néodyme. Ledit matériau de gain (50) peut être conçu sous forme de plaque rectangulaire à facteur de forme élevé, et peut être revêtu de saphir. Les surfaces réflectrices peuvent fonctionner par réflexion interne totale ou peuvent faire intervenir un matériau réfléchissant tel qu'un revêtement diélectrique. Une section de matériau non dopé (52) peut être appliquée à l'extrémité d'entrée ou de sortie de la plaque de matériau de gain afin de commander les angles d'incidence et de réfraction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)