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1. (WO2004097955) SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE PULVERISE ET PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR SUR UN SUPPORT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/097955    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/004039
Date de publication : 11.11.2004 Date de dépôt international : 16.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.02.2005    
CIB :
C23C 14/12 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Déposants : BASF AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; 67056 Ludwigshafen (DE) (Tous Sauf US).
SACHWEH, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RÖSCH, Joachim [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BOLD, Markus [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GESSNER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SACHWEH, Bernd; (DE).
RÖSCH, Joachim; (DE).
BOLD, Markus; (DE).
GESSNER, Thomas; (DE)
Représentant
commun :
BASF AKTIENGESELLSCHAFT; 67056 Ludwigshafen (DE)
Données relatives à la priorité :
103 19 742.7 30.04.2003 DE
Titre (DE) PULVERISIERTE ORGANISCHE HALBLEITER UND VERFAHREN ZUM AUFDAMPFEN AUF EINEN TRÄGER
(EN) PULVERIZED ORGANIC SEMICONDUCTORS AND METHOD FOR VAPOR PHASE DEPOSITION ONTO A SUPPORT
(FR) SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE PULVERISE ET PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR SUR UN SUPPORT
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufdampfung von einer oder mehreren Verbindungen auf einen Träger, indem man: i) die Verbindung in festem oder gasförmigen Zustand in einen Trägergasstrom einbringt, ii) die Verbindung in dem Trägergasstrom in gasförmigem Zustand vorliegt, iii) die gasförmige Verbindung niederschlägt, iv) die im Schritt (iii) niedergeschlagene Verbindung erneut in den gasförmigen Zustand überführt und anschliessend v) die gasförmige Verbindung auf dem Träger niederschlägt, wobei man den Trägergastrom enthaltend die gasförmige Verbindung(en) durch Zuführung eines Gasstroms auf eine Temperatur niedriger als die Sublimationstemperatur der Verbindung(en) abkühlt.
(EN)The invention relates to a method for vapor phase deposition of one or several compounds onto a support by i) introducing the compound into a carrier gas stream in a solid or gaseous state, ii) providing said compound in a gaseous state in the carrier gas stream, iii) condensing the gaseous compound, iv) returning the compound condensed in step (iii) into the gaseous state, and then v) condensing the gaseous compound on the support, the carrier gas stream containing the gaseous compound(s) being cooled to a temperature that lies below the sublimation temperature of said compound(s) by adding a gas stream.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase vapeur d'au moins un composé sur un support. Selon ce procédé, i) on introduit le composé à l'état solide ou gazeux dans un flux de gaz porteur, ii) le composé est présent dans le flux de gaz porteur sous la forme gazeuse, iii) le composé gazeux se condense, iv) le composé condensé obtenu en (iii) est à nouveau converti à l'état gazeux et v) le composé gazeux se dépose sur le support. On refroidit le flux de gaz porteur contenant le/les composé(s) gazeux en introduisant un flux gazeux à une température inférieure à la température de sublimation du/des composé(s).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)