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1. (WO2004097947) DIODES ELECTROLUMINESCENTES ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/097947    N° de la demande internationale :    PCT/IE2004/000063
Date de publication : 11.11.2004 Date de dépôt international : 04.05.2004
CIB :
H01L 31/0352 (2006.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01)
Déposants : UNIVERSITY COLLEGE CORK-NATIONAL UNIVERSITY OF IRELAND, CORK [IE/IE]; College Road, Cork (IE) (Tous Sauf US).
MAASKANT, Pleun, Peter [NL/IE]; (IE) (US Seulement).
O'CARROLL, Edmund, Anthony [IE/IE]; (IE) (US Seulement).
LAMBKIN, Paul, Martin [IE/IE]; (IE) (US Seulement).
CORBETT, Brian [IE/IE]; (IE) (US Seulement)
Inventeurs : MAASKANT, Pleun, Peter; (IE).
O'CARROLL, Edmund, Anthony; (IE).
LAMBKIN, Paul, Martin; (IE).
CORBETT, Brian; (IE)
Mandataire : O'BRIEN, John, A.; c/o John A. O'Brien & Associates, Third Floor, Duncairn House, 14, Carysfort Avenue, Blackrock, County Dublin (IE)
Données relatives à la priorité :
2003/0332 02.05.2003 IE
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODES AND THE MANUFACTURE THEREOF
(FR) DIODES ELECTROLUMINESCENTES ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)An array of highly efficient micro-LEDs (100) and a manufacturing process are described. Each micro-LED (100) is an integrated diode structure in a mesa (105), in which the mesa shape and the light-emitting region (104) are chosen for optimum efficiency. A single one of the micro-LEDs (100) comprises, on a substrate (101) and a semiconductor layer (102), a mesa (103), a light emitting layer (104), and an electrical contact (106). The micro-LEDs in this device have a very high EE because of their shape. Light is generated within the mesa, which is shaped to enhance the escape probability of the light. Very high EEs are achieved, particularly with a nearparabolic mesa that has a high aspect ratio. The top of the mesa is truncated above the light-emitting layer (LEL), providing a flat surface for the electrical contact (106) on the top of the semiconductor mesa. It has been found that the efficiency is high provided the top contact has a good reflectivity value. Also, it has been found that efficiency is particularly high if the contact (106) occupies an area of less than 16% of the truncated top mesa surface area. This feature also helps to achieve a more directional beam in the case of the device being an LED.
(FR)L'invention concerne un agencement de micro-LED (100) hautement efficaces et leur procédé de fabrication. Chaque micro-LED (100) est une structure de diode intégrée dans un mesa (105), la forme du mesa et de la zone électroluminescente (104) étant choisies pour une efficacité optimale. Une micro-LED (100) unique comprend, sur un substrat (101) et sur une couche semi-conductrice (102), un mesa (103), une couche électroluminescente (104) et un contact électrique (106). Les micro-LED de ce dispositif présentent une efficacité d'extraction (EE) très élevée en raison de leur forme. La lumière est générée à l'intérieur du mesa, qui est formé de sorte à accroître la probabilité d'échappement de lumière. Des EE très élevées sont obtenues, en particulier avec un mesa presque parabolique présentant un facteur de forme élevé. La partie supérieure du mesa est tronquée au-dessus de la couche électroluminescente (LEL), ce qui permet d'obtenir une surface plate pour le contact électrique (106) sur la partie supérieure du mesa semi-conducteur. Il s'avère que l'efficacité est élevée à condition que le contact supérieur présente une bonne valeur de réflectivité. Il s'avère également que l'efficacité est particulièrement élevée, si le contact (106) occupe une zone inférieure à 16 % de la zone surfacique de mesa supérieure tronquée. Cette caractéristique permet également d'obtenir un faisceau directionnel plus important dans le cas où le dispositif est une LED.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)