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1. (WO2004097930) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/097930    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/005456
Date de publication : 11.11.2004 Date de dépôt international : 28.04.2003
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (Tous Sauf US).
OHKAWA, Narumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHKAWA, Narumi; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device characterized by comprising a plug layer buried into a window penetrating an interlayer insulation film and planarized by chemical mechanical polishing, a Ti (titanium) film deposited to extend onto the plug layer from above the interlayer insulation film, an interconnect layer containing Al (aluminum) and/or Cu (copper) deposited on the Ti film, and an underlying hydrogen impermeable film formed between the interlayer insulation film and the Ti film.
(FR)Cette invention concerne un dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend une couche d'obturation noyée dans une fenêtre pénétrant dans un film isolant intercouches et planarisée par polissage chimico-mécanique, un film de titane recouvrant la couche d'obturation depuis le dessus du film isolant intercouches, une couche d'interconnexion renfermant de l'aluminium et /ou du cuivre déposée sur le film de titane et un film sous-jacent imperméable à l'hydrogène, formé entre le film isolant intercouches et le film de titane.
(JA)本発明は、層間絶縁膜を貫通する窓に埋め込まれて化学機械研磨により平坦化されたプラグ層と、前記層間絶縁膜上から前記プラグ層上に延在するように堆積されたTi(チタン)膜と、前記Ti膜上に堆積されたAl(アルミニウム)乃至Cu(銅)を含む配線層と、前記層間絶縁膜と前記Ti膜との間に形成され、水素を透過しない下敷膜とを備えることを特徴とする半導体装置に関する。
États désignés : CN, JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)