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1. (WO2004097919) MECANISME D'INTRODUCTION DE GAZ DE TRAITEMENT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/097919    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/006165
Date de publication : 11.11.2004 Date de dépôt international : 28.04.2004
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
KAMAISHI, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMAMURA, Akinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORISHIMA, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAMAISHI, Takayuki; (JP).
SHIMAMURA, Akinori; (JP).
MORISHIMA, Masato; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA, Hiroshi; 6th Floor, Shin-Yokohama IC Building 18-9, Shin-Yokohama 3-chome Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2220033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-127201 02.05.2003 JP
2003-180865 25.06.2003 JP
Titre (EN) PROCESS GAS INTRODUCNG MECHANISM AND PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) MECANISME D'INTRODUCTION DE GAZ DE TRAITEMENT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) 処理ガス導入機構およびプラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing device having a plasma generation unit and a chamber housing a substrate to be processed thereinside, wherein a process gas introducing mechanism, which is provided between the plasma generation unit and the chamber to introduce a process gas into a process space defined by the plasma generation unit and the chamber, is formed with a gas introducing path that supports a plasma generation unit, is mounted on the chamber and introduces a process gas into a process space, and which has a gas introducing base having at the center thereof a hole forming part of the process space and an almost annular gas introducing plate removably attached to the hole of the gas introducing base and having a plurality of gas emitting holes communicating with the process space from the gas introducing path to emit a process gas into the process space.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif de traitement au plasma comportant une unité de génération de plasma et une enceinte logeant un substrat destiné à y être traité, dans lequel un mécanisme d'introduction de gaz de traitement, qui est prévu entre l'unité de génération de plasma et l'enceinte pour l'introduction d'un gaz de traitement dans un espace de traitement défini par l'unité de génération de plasma et l'enceinte, est formé par un trajet d'introduction de gaz portant une unité de génération de plasma, est monté sur l'enceinte et introduit un gaz de traitement dans un espace de traitement, et qui inclut une base d'introduction de gaz présentant en son centre un orifice faisant partie de l'espace de traitement et une plaque d'introduction de gaz sensiblement annulaire fixée de manière amovible à l'orifice de la base d'introduction de gaz et présentant une pluralité d'orifices d'émission de gaz en communication avec l'espace de traitement depuis le trajet d'introduction de gaz pour l'émission d'un gaz de traitement dans l'espace de traitement.
(JA)プラズマ発生部と被処理基板を内部に収容するチャンバーとを有するプラズマ処理装置においてプラズマ発生部とチャンバーとの間に設けられ、プラズマ発生部とチャンバーとで画成される処理空間に処理ガスを導入する処理ガス導入機構は、プラズマ発生部を支持するとともにチャンバーに載せられ、処理ガスを処理空間に導入するガス導入路が形成され、その中央に前記処理空間の一部をなす穴部を有するガス導入ベースと、ガス導入ベースの穴部に取り外し可能に装着され、ガス導入路から処理空間に連通して処理ガスを処理空間に吐出する複数のガス吐出孔を有する略リング状をなすガス導入プレートとを有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)