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1. WO2004097912 - DISPOSITIF DE TRANSFERT DE SUBSTRAT D'UN APPAREIL DE FORMATION DE COUCHES MINCES

Numéro de publication WO/2004/097912
Date de publication 11.11.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/006313
Date du dépôt international 30.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 17.01.2005
CIB
C23C 16/54 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
54Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
CPC
C23C 16/042
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
042using masks
C23C 16/4587
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
4587the substrate being supported substantially vertically
C23C 16/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
54Apparatus specially adapted for continuous coating
H01J 37/32541
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32541Shape
H01J 37/32743
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32733Means for moving the material to be treated
32743for introducing the material into processing chamber
H01L 21/67712
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
67703between different workstations
67712the substrate being handled substantially vertically
Déposants
  • 石川島播磨重工業株式会社 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山崎 秀作 YAMASAKI, Shusaku [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 長谷川 敬晃 HASEGAWA, Noriaki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 山崎 秀作 YAMASAKI, Shusaku
  • 長谷川 敬晃 HASEGAWA, Noriaki
Mandataires
  • 山田 恒光 YAMADA, Tsunemitsu
Données relatives à la priorité
2003-12696002.05.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE TRANSFER DEVICE OF THIN-FILM FORMING APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE TRANSFERT DE SUBSTRAT D'UN APPAREIL DE FORMATION DE COUCHES MINCES
(JA) 薄膜形成装置の基板搬送装置
Abrégé
(EN)
The plasma produced by an electrode is reliably prevented from entering the space behind the back of a substrate (4) even though a large mask panel (35) wholly covering the edge of the substrate (4) is not installed in a film-forming chamber (1). A substrate transfer device of a thin-film forming apparatus is structured as follows. A partition panel (37) that has an opening (36) larger than the substrate (4) and is opposed to a dielectrically coupled electrode (3) is vertically provided on a transfer truck (23). A substrate holder (38) to which the substrate (4) is attached is provided on the opposite side of the partition panel (37) to the dielectrically coupled electrode (3). The substrate (4) is disposed in a generally central part of the opening (36). The edge of the substrate holder (38) is covered with the partition panel (37).
(FR)
Selon cette invention, il convient d'empêcher de façon fiable que le plasma produit par une électrode n'entre dans l'espace situé derrière la partie arrière d'un substrat (4), même lorsqu'un grand panneau de masque (35) recouvrant entièrement le bord du substrat (4) n'est pas installé dans une chambre de formation de couches (1).Un dispositif de transfert de substrat d'un appareil de formation de couches minces est structuré comme suit : un panneau de séparation (37) comportant une ouverture (36) plus grande que le substrat (4) et situé à l'opposé d'une électrode couplée de manière diélectrique (3) est placé verticalement sur un chariot de transfert (23) ; un porte-substrat (38) auquel le substrat (4) est fixé est placé sur le côté opposé du panneau de séparation (37) opposé à l'électrode couplée de manière diélectrique (3). Le substrat (4) est déposé sensiblement au centre de l'ouverture (36). Le bord du porte-substrat (38) est recouvert du panneau de séparation (37).
(JA)
成膜室(1)内に基板(4)の外周縁部全体を覆うような大きなマスクパネル(35)を設けることなく、電極(3)から発生するプラズマが基板(4)の裏面側へ回り込むことを確実に防止し、コストリダクション並びにメンテナンス性向上を図るために、搬送台車(23)上に、基板(4)より大きな開口部(36)が形成され且つ誘導結合型電極(3)と対向する隔壁パネル(37)を立設すると共に、該隔壁パネル(37)の反誘導結合型電極(3)側に、基板(4)が装着された額縁状の基板ホルダ(38)を、前記隔壁パネル(37)の開口部(36)の略中央部に基板(4)が配置され且つ基板ホルダ(38)の外周縁部が隔壁パネル(37)によって覆い隠されるよう配設した薄膜形成装置の基板搬送装置である。
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