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1. (WO2004097881) SYSTEME DE MESURE DE L'UNIFORMITE DU FAISCEAU ET DE LA DISTRIBUTION ANGULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/097881    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/013243
Date de publication : 11.11.2004 Date de dépôt international : 29.04.2004
CIB :
H01J 3/00 (2006.01), H01J 37/304 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive, Beverly, Massachusetts 01915 (US) (Tous Sauf US).
BENVENISTE, Victor [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BENVENISTE, Victor; (US)
Données relatives à la priorité :
10/425,924 29.04.2003 US
Titre (EN) BEAM UNIFORMITY AND ANGULAR DISTRIBUTION MEASUREMENT SYSTEM
(FR) SYSTEME DE MESURE DE L'UNIFORMITE DU FAISCEAU ET DE LA DISTRIBUTION ANGULAIRE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention facilitates semiconductor device fabrication by monitoring uniformity of beam current and angle of incidence at various locations throughout an ion beam (e.g., a wider portion of a ribbon beam). One or more uniformity detectors are employed within an ion implantation system (e.g., single wafer based system and/or a multiple wafer based system) and are comprised of a number of elements. The respective elements comprise an aperture that selectively obtains a beamlet from an incident ion beam and a pair of sensors that measure beam current as a function of the incoming angle of the ion beam. The angle of incidence at for particular elements can be determined at least partially from the measured beam current by the pairs of sensors. As a result, generation of an ion beam can be adjusted to improve uniformity as indicated and ion implantation can be performed with an improved uniformity and under tighter process controls.
(FR)La présente invention concerne la fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs qui est facilitée du fait de la surveillance du courant du faisceau et de l'angle d'incidence à divers endroits dans un faisceau d'ions (par exemple une partie plus large d'un faisceau ruban). Un ou plusieurs détecteurs d'uniformité sont utilisés dans un système d'implantation ionique (par exemple un système à tranche unique et/ou un système à tranches multiples), ces détecteurs étant constitués d'une pluralité d'éléments. Les éléments respectifs comportent une ouverture qui récupèrent un petit faisceau à partir d'un faisceau d'ions incidents et une paire de capteurs qui mesurent l'intensité du faisceau en fonction de l'angle entrant du faisceau d'ions. L'angle d'incidence pour des éléments particuliers peut être déterminé au moins partiellement à partir de l'intensité du faisceau mesurée par les paires de capteurs. On peut ainsi ajuster la génération d'un faisceau d'ions pour améliorer l'uniformité et on peut effectuer l'implantation ionique avec une meilleure uniformité et avec des commandes de processus plus strictes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)