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1. (WO2004097880) DISPOSITIF POUR GENERER UNE EMISSION PHOTOELECTRONIQUE DANS LE VIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/097880    N° de la demande internationale :    PCT/RU2004/000174
Date de publication : 11.11.2004 Date de dépôt international : 27.04.2004
CIB :
H01J 1/34 (2006.01), H01J 40/06 (2006.01)
Déposants : BENEMANSKAYA, Galina Vadimovna [RU/RU]; (RU).
AFANASIEV, Igor Vasilievich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
VIKHNIN, Valentin Semenovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
FRANK-KAMENETSKAYA, Galina Eduardovna [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
SHMIDT, Natalya Mikhailovna [RU/RU]; (RU) (US Seulement)
Inventeurs : BENEMANSKAYA, Galina Vadimovna; (RU).
AFANASIEV, Igor Vasilievich; (RU).
VIKHNIN, Valentin Semenovich; (RU).
FRANK-KAMENETSKAYA, Galina Eduardovna; (RU).
SHMIDT, Natalya Mikhailovna; (RU)
Mandataire : BELOV, Vladilen Ivanovich; FTI im. A.F. Ioffe RAN, ul. Politekhnicheskaya, 26, St.Petersburg, 194021 (RU)
Données relatives à la priorité :
2003112800 29.04.2003 RU
Titre (EN) DEVICE FOR PRODUCING PHOTOELECTRONIC EMISSION IN VACUUM
(FR) DISPOSITIF POUR GENERER UNE EMISSION PHOTOELECTRONIQUE DANS LE VIDE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to electrovacuum electronic engineering, in particular to photoemission semiconductor devices operating in a visual and near-ultraviolet region. Said devices can be used for developing a novel class of efficient photoelectronic instruments based on wide-band semiconductors. The inventive device for producing photoelectronic emission in vacuum comprises a semiconductor material layer based on nitrides of elements of a third n-conductivity type group whose concentration is equal or higher than 5?1016 cm-3, forbidden zone width is Eg, electron x affinity and the electronic work function ? on the working surface of said semiconductor material, which is oriented to vacuum and activated with an alkali metal or the oxide thereof satisfying the following relations: Eg> $g(x), etV; $g(x)>?, eV.
(FR)L'invention appartient au domaine des équipements électroniques fonctionnant sous vide et notamment des dispositifs semi-conducteurs à photoémission fonctionnant dans les domaines ultraviolets visible et proche. Ces dispositifs peuvent être utilisés pour créer une nouvelle classe d'instruments photoélectroniques fonctionnant à base de semi-conducteurs à zone élargie. Le dispositif pour générer une émission photoélectronique dans le vide comprend une couche de matériau semi-conducteur à base de nitrures d'éléments du troisième groupe à conductivité de type 'n' avec une concentration d'au moins 5* 1016 cm-3, avec une largeur de zone interdite Eg et une affinité pour l'électron $g(x) et un travail de sortie de l'électron $g(f) sur la surface tournée vers le vide du matériau semi-conducteur susmentionné, activé par un métal alcalin ou son oxyde, selon les relations; Eg> $g(x), etV; $g(x)>, eV.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)