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1. WO2004096934 - COMPOSITION DE REVETEMENT, FILM SILICEUX POREUX, PROCEDE DE PREPARATION DUDIT FILM SILICEUX POREUX ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2004/096934
Date de publication 11.11.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/004078
Date du dépôt international 24.03.2004
CIB
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
C08L 33/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
33Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
04Homopolymers or copolymers of esters
06of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
C09D 183/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
183Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
16in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
H01L 21/02126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02203the layer being porous
H01L 21/02222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02219the compound comprising silicon and nitrogen
02222the compound being a silazane
H01L 21/02282
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02282liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
Déposants
  • AZ ELECTRONIC MATERIALS (JAPAN) K.K. [JP]/[JP] (AE, AG, AL, AM, AU, AZ, BA, BB, BF, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CI, CM, CN, CO, CR, CU, DM, DZ, EC, EG, GA, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GW, HR, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LV, MA, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, RU, SC, SD, SG, SL, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW)
  • AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US]/[US] (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
  • 青木 倫子 AOKI, Tomoko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 青木 宏幸 AOKI, Hiroyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 青木 倫子 AOKI, Tomoko
  • 青木 宏幸 AOKI, Hiroyuki
Mandataires
  • YOSHITAKE, Kenji
Données relatives à la priorité
2003-12638101.05.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) COATING COMPOSITION, POROUS SILICEOUS FILM, METHOD FOR PREPARING POROUS SILICEOUS FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION DE REVETEMENT, FILM SILICEUX POREUX, PROCEDE DE PREPARATION DUDIT FILM SILICEUX POREUX ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) コーティング組成物、多孔質シリカ質膜、多孔質シリカ質膜の製造方法及び半導体装置
Abrégé
(EN)
A coating composition which comprises an organic solvent and, incorporated therein, 1) a polyalkylsilazane, and 2) at least one organic resin component selected from the group consisting of homopolymers and copolymers of an acrylate ester and a methacrylate ester, characterized in that at least a part of side chains contained in said at least one organic resin component contains a -COOH group and/or -OH group. The coating composition can provide a porous siliceous film which has a high mechanical strength and exhibits a low dielectric constant and thus can be advantageously used as an interlayer insulating film.
(FR)
L'invention concerne une composition de revêtement qui comprend un solvant organique renfermant : 1) un polyalkylsilazane et 2) au moins un composant de résine organique choisi dans le groupe constitué d'homopolymères et de copolymères d'un ester d'acrylate et d'un ester de méthacrylate. Cette composition est caractérisée en ce qu'une partie des chaînes latérales contenues dans ledit composant de résine organique contient un groupe COOH et/ou un groupe OH. Cette composition de revêtement peut donner un film siliceux poreux qui présente une grande résistance mécanique et une faible constante diélectrique et qui peut donc être avantageusement utilisé comme film isolant intercouche.
(JA)
機械的強度の高い、層間絶縁膜に有用な低誘電率多孔質シリカ質膜を提供する。本発明によるコーティング組成物は、有機溶媒中に、 1)ポリアルキルシラザン、並びに 2)アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの単独重合体及び共重合体からなる群より選ばれた少なくとも一種の有機樹脂成分を含んで成り、該有機樹脂成分の少なくとも一種に含まれる側基の少なくとも一部に−COOH基及び/又は−OH基が含まれることを特徴とする。
Également publié en tant que
KR1020057020661
US2007117892
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