WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2004096451) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UN MOTIF ET DISPOSITIF DE DECHARGE DE GOUTTELETTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/096451    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/005391
Date de publication : 11.11.2004 Date de dépôt international : 15.04.2004
CIB :
B05B 17/06 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
MAEKAWA, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MAEKAWA, Shinji; (JP).
YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-120949 25.04.2003 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING PATTERN AND DROPLET DISCHARGING DEVICE
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UN MOTIF ET DISPOSITIF DE DECHARGE DE GOUTTELETTES
(JA) パターンの作製方法及び液滴吐出装置
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a pattern is characterized by comprising a step wherein a liquid repellent thin film such as a semiconductor film on an insulating substrate such as a glass substrate is selectively provided with lyophilicity by a plasma-generating means (102) and a droplet composition is discharged on the lyophilic surface by using a droplet discharging means (103), thereby forming a pattern. By interposing the selectively formed lyophilic region between liquid repellent regions, the droplet does not move from the position where it has landed.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former un motif, caractérisé en ce qu'il consiste en une étape dans laquelle un film mince repoussant les liquides, tel qu'un film semi-conducteur placé sur un substrat isolant, notamment un substrat en verre, est sélectivement doté d'une aptitude à la lyophilisation au moyen d'un organe de génération de plasma (102); et en ce qu'une composition de gouttelettes est déchargée sur la surface lyophile par utilisation d'un organe de décharge de gouttelettes (103), ce qui permet de former un motif. Par interposition de la région lyophile sélectivement formée entre des régions repoussant les liquides, les gouttelettes de bougent pas de la position où elles ont été déchargées.
(JA)本発明は、絶縁性を有する基板、例えばガラス基板上に撥液性の薄膜、例えば半導体膜に選択的にプラズマを発生する手段102によって親液性にし、前記親液性表面に、液滴吐出手段103により液滴組成物を吐出して、パターンを作製する工程を含むことを特徴とする。選択的に形成した親液性領域を撥液性で挟むことで、着弾後の液滴は着弾位置から移動せず形成することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)