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1. (WO2004095886) DISPOSITIF DE CHAUFFE DIELECTRIQUE A HAUTE FREQUENCE ET CARTE DE CIRCUITS IMPRIMES A THERMISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095886    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/005727
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 21.04.2004
CIB :
H05B 6/66 (2006.01), H05B 6/68 (2006.01), H05K 1/02 (2006.01), H05K 1/18 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO. LTD. [JP/JP]; 1006 Oaza Kadoma Kadoma-shi Osaka, 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
SUENAGA, Haruo; (US Seulement).
MORIYA, Hideaki; (US Seulement).
SAKAI, Shinichi; (US Seulement)
Inventeurs : SUENAGA, Haruo; .
MORIYA, Hideaki; .
SAKAI, Shinichi;
Mandataire : OGURI, Shohei; Eikoh Patent Office 13th Floor ARK Mori Building, 12-32 Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1076013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-117073 22.04.2003 JP
2003-117072 22.04.2003 JP
Titre (EN) HIGH-FREQUENCY DIELECTRIC HEATING DEVICE AND PRINTED BOARD WITH THERMISTOR
(FR) DISPOSITIF DE CHAUFFE DIELECTRIQUE A HAUTE FREQUENCE ET CARTE DE CIRCUITS IMPRIMES A THERMISTANCE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a high-frequency dielectric heating device comprises: a microwave output unit including an inverter unit using a semiconductor switching element, heat-radiating fins for radiating the heat generated by an IGBT, a printed board having a thermistor for detecting the temperature of the semiconductor switching element, wherein the thermistor being soldered to a leg portion of the semiconductor switching element or near to the leg portion thereof on the side of the soldering surface of the printed board, a booster transformer, a high-voltage rectifier unit, and a magnetron; and a heat-cooking chamber fed with microwaves radiated from the magnetron. When the thermistor has assumed a predetermined resistance, a power-down control operation is effected by greatly decreasing the power fed to the semiconductor switching element. Then, permitting the power fed to the semiconductor switching element to vary depending upon the resistance of the thermistor.
(FR)Dispositif de chauffe diélectrique à haute fréquence pourvu d'une unité de sortie de micro-ondes comportant une unité inverseur reposant sur l'utilisation d'un élément de commutation à semi-conducteur, des ailettes destinées à envoyer de la chaleur de rayonnement produite par un transistor bipolaire à porte isolée (IGBT), une carte à circuits imprimés possédant une thermistance destinée à détecter la température de l'élément de commutation à semi-conducteur, la thermistance étant soudée à une partie patte de l'élément de commutation à semi-conducteur ou à proximité de la partie patte du côté de la surface de soudage de la carte à circuits imprimés, un transformateur relais, une unité redresseur à haute tension et un magnétron, ainsi que d'une chambre de cuisson thermique alimentée en micro-ondes émises par le magnétron. Lorsque la thermistance parvient à une résistance prédéterminée, une opération de régulation de puissance vers le bas est effectuée par forte réduction de la puissance apportée à l'élément de commutation à semi-conducteur. Ensuite, la puissance apportée à l'élément de commutation à semi-conducteur peut varier en fonction de la résistance de la thermistance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)