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1. (WO2004095696) COMPENSATION DE TEMPERATURE POUR RESONATEUR DE TYPE MICROELECTROMECANIQUE (MEMS)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095696    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/009881
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 30.03.2004
CIB :
H03H 9/00 (2006.01), H03H 9/50 (2006.01), H03H 9/54 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
LUTZ, Markus [DE/US]; (US) (US Seulement).
PARTRIDGE, Aaron [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LUTZ, Markus; (US).
PARTRIDGE, Aaron; (US)
Mandataire : STEINBERG, Neil, A.; 2665 Marine Way, Suite 1150, Mountain View, CA 94043 (US)
Données relatives à la priorité :
10/414,793 16.04.2003 US
Titre (EN) TEMPERATURE COMPENSATION FOR SILICON MEMS RESONATOR
(FR) COMPENSATION DE TEMPERATURE POUR RESONATEUR DE TYPE MICROELECTROMECANIQUE (MEMS)
Abrégé : front page image
(EN)Thermally induced frequency variations in a micromechanical resonator are actively or passively mitigated by application of a compensating stiffness, or a compressive/tensile strain. Various composition materials may be selected according to their thermal expansion coefficient and used to form resonator components on a substrate. When exposed to temperature variations, the relative expansion of these composition materials creates a compensating stiffness, or a compressive/tensile strain.
(FR)L'invention concerne des variations de fréquence d'origine thermique dans un résonateur micromécanique, compensées activement ou passivement par l'application d'une rigidité de compensation, ou d'une contrainte de compression/tension en compensation. On peut choisir différents matériaux de composition, selon leur coefficient d'expansion thermique, et les utiliser pour former des composants de résonateur sur un substrat. L'exposition à des variations de température engendre une expansion relative des matériaux de composition, qui donne cette rigidité de compensation ou cette contrainte de compression/tension en compensation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)