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1. (WO2004095688) CIRCUIT AMPLIFICATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095688    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/008071
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 18.03.2004
CIB :
H03F 3/19 (2006.01), H03F 3/68 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; Three Techonology Way, Norwood, MA 02062 (US) (Tous Sauf US).
ZHANG, Shuyun [US/US]; (US) (US Seulement).
MCMORROW, Robert, Jeffery [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHANG, Shuyun; (US).
MCMORROW, Robert, Jeffery; (US)
Mandataire : POIRIER, David, W.; Iandiorio & Teska, 260 Bear Hill Road, Waltham, MA 02451 (US)
Données relatives à la priorité :
10/400,774 27.03.2003 US
Titre (EN) AMPLIFIER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT AMPLIFICATEUR
Abrégé : front page image
(EN)An improved bipolar transistor power amplifier circuit including a bias input node, an RF input node, an RF output node, and a plurality of HBTs. Each HBT includes a base, an emitter, a collector, a base resistor connected to the base and selected to offset a portion of the voltage drop across the base and emitter of each transistor, an emitter resistor connected to the emitter, and a base capacitor having two electrodes one of which is coupled to the base. The HBTs are grouped together in two or more groups and each group includes a base resistor selected to offset another portion of the voltage drop across the base and emitter of the transistors. The base resistors are coupled to the bias input node, the collectors of each HBT are coupled to the RF output node, and the other electrode of each base capacitor is coupled to the RF input node resulting in a power amplifier with HBT base resistors which do not have to be large enough to provide all of the thermal protection and do not have to dissipate as much power resulting in a more compact layout.
(FR)L'invention concerne un circuit amplificateur de puissance à transistor bipolaire comprenant un noeud d'entrée de polarisation et un noeud d'entrée HF, un noeud de sortie HF, et une pluralité de transistors bipolaires à hétérojonction (HBT). Chaque HBT comprend une base, un émetteur, un collecteur, une résistance de base connectée à la base et choisie de manière à compenser une partie de la chute de tension entre la base et l'émetteur de chaque transistor, une résistance d'émetteur connectée à l'émetteur, et un condensateur de base comprenant deux électrodes dont l'une est couplée à la base. Les HBT sont regroupés en au moins deux groupes, et chaque groupe comprend une résistance de base choisie de manière à compenser une autre partie de la chute de tension entre la base et l'émetteur des transistors. Les résistances des bases sont couplées au noeud d entrée de polarisation, les collecteurs de chaque HBT sont couplés au noeud de sortie HF, et l'autre électrode de chaque condensateur de base est couplé au noeud d'entrée HF, ce qui donne un amplificateur de puissance dans lequel il n'est pas nécessaire que les résistances des bases soient dimensionnées de manière à assurer la totalité de la protection thermique, et qu'elles dissipent autant de puissance, permettant ainsi d'obtenir une configuration plus compacte.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)