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1. (WO2004095594) MATERIAU THERMOELECTRIQUEMENT TRANSDUCTEUR, TRANSDUCTEUR THERMOELECTRIQUE UTILISANT CE MATERIAU, ET PROCEDE DE GENERATION ET DE REFROIDISSEMENT UTILISANT CE TRANSDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095594    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/005571
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 19.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.01.2005    
CIB :
C22C 30/00 (2006.01), H01L 35/12 (2006.01), H01L 35/20 (2006.01), H01L 35/28 (2006.01), H01L 35/34 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
ONO, Yasuhiro; (US Seulement).
INAYAMA, Shingo; (US Seulement).
MIYAZAKI, Yuzuru; (US Seulement).
KAJITANI, Tsuyoshi; (US Seulement).
YOTSUHASHI, Satoshi; (US Seulement).
ADACHI, Hideaki; (US Seulement)
Inventeurs : ONO, Yasuhiro; .
INAYAMA, Shingo; .
MIYAZAKI, Yuzuru; .
KAJITANI, Tsuyoshi; .
YOTSUHASHI, Satoshi; .
ADACHI, Hideaki;
Mandataire : KAMADA, Koichi; Tomoe Marion Bldg., 7th Fl. 4-3-1, Nishitenma, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-0047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-116840 22.04.2003 JP
Titre (EN) THERMOELECTRICALLY TRANSDUCING MATERIAL, THERMOELECTRIC TRANSDUCER USING THE MATERIAL, AND GENERATING METHOD AND COOLING METHOD USING THE TRANSDUCER
(FR) MATERIAU THERMOELECTRIQUEMENT TRANSDUCTEUR, TRANSDUCTEUR THERMOELECTRIQUE UTILISANT CE MATERIAU, ET PROCEDE DE GENERATION ET DE REFROIDISSEMENT UTILISANT CE TRANSDUCTEUR
(JA) 熱電変換材料、この材料を用いた熱電変換素子、ならびにこの素子を用いた発電方法および冷却方法
Abrégé : front page image
(EN)A thermoelectrically transducing material which comprises a half Heuisler alloy represented by the formula: QR(L1-pZp), wherein Q is at least one element selected from the 5 Group elements, R is at least one element selected from cobalt, rhodium and iridium, L is at least one element selected from tin and germanium, Z is at least one element selected from indium and antimony, p is a number of 0 or more and less than 0.5. Preferably half Heuisler alloys for the material include NbCo(Sn1-pSbp). Since the above transducing material is of an n-type, a thermoelectric transducer comprising the above material is preferably combined with a p-type transducing material.
(FR)La présente invention concerne un matériau thermoélectriquement transducteur qui comprend un demi-alliage de Heuisler représenté par le formule: QR(L1-pZp). Dans cette formule, Q est un élément du Groupe 5. R est cobalt, rhodium ou iridium. L est étain ou germanium. Z est indium ou antimoine. Le nombre 'p' vaut de 0 à 0,5. De préférence, le demi-alliage de Heuisler est NbCo(Sn1-pSbp). Ce matériau étant de type dopé N, il est préférable de combiner le transducteur thermoélectrique comprenant ce matériau à un matériau transducteur de type dopé P.
(JA)本発明は、式QR(L1−p)で示されるハーフホイスラー合金を含む熱電変換材料を提供する。ここで、Qは5族元素から選択される少なくとも1種の元素であり、Rはコバルト,ロジウムおよびイリジウムから選択される少なくとも1種の元素であり、Lは錫およびゲルマニウムから選択される少なくとも1種の元素であり、Zはインジウムおよびアンチモンから選択される少なくとも1種の元素であり、pは0以上0.5未満の数値である。好ましいハーフホイスラー合金としては、NbCo(Sn1− Sb)を例示できる。本発明による熱電変換材料はn型であるため、p型熱電変換材料と組み合わせた熱電変換素子とするとよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)