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1. WO2004095584 - TRANSISTOR BIPOLAIRE ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT TRANSISTOR

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[ DE ]

Patentansprüche

1. Hochfrequenz-Bipolartransistor (1) bestehend aus zumindest
- einem Emitterkontakt (2) , der an einen
Emitteranschlussbereich (3) angrenzt,
- einem Basiskontakt (4) , der an einen
Basisanschlussbereich (5) angrenzt,
- einem Kollektorkontakt (6), der an einen
Kollektoranschlussbereich (7) angrenzt, wobei als
Kollektoranschlussbereich eine vergrabene Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) mit einem Kollektorgebiet (14) verbindet,
dadurch gekennzeichnet ,
dass eine Silizidregion (8) auf der vergrabenen Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) niederohmig an das Kollektorgebiet (14) anschließt.

2 . Bipolartransistor nach Anspruch 1
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass die Silizidregion (8) eine Dicke im Bereich zwischen 10 und 200 nm aufweist.

3. Bipolartransistor nach einem der Ansprüche 1 bis 2 dadurch gekennzeichnet,
dass die Silizidregion (8) zumindest ein Übergangsmetall enthält .

4. Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz- Bipolartransistors (1) , bei dem
- ein Kollektoranschlussbereich (7),
- ein Kollektorgebiet (14),
- zumindest auf dem Kollektoranschlussbereich (7) eine erste Isolationsschicht (10),
- ein Basisgebiet (15)
- ein Basisanschlussbereich (5) , - zumindest auf dem Basisanschlussbereich (5) eine zweite Isolationsschicht (9) und
- ein Emitteranschlussbereich (3) zur Verfügung gestellt werden,
- wobei der Kollektoranschlussbereich als vergrabene
Schicht (7) ausgeführt wird,
dadurch gekennzeichnet ,
dass
- die erste Isolationsschicht (10) , zumindest teilweise, bis zur vergrabenen Schicht (7) entfernt wird und

- unmittelbar vor Herstellung eines Emitterkontaktes (2) , eines Basiskontaktes (4) und eines Kollektorkontaktes

(6) eine Silizidregion (8) auf der vergrabenen Schicht

(7) zur Verfügung gestellt wird,
- wobei die Silizidregion (8) derart ausgebildet wird, dass der Kollektorkontakt (6) niederohmig an das
Kollektorgebiet (14) angeschlossen wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet ,
dass die Silizidregion (8) in einer Dicke zwischen 10 und 200 nm ausgebildet wird.

6 . Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 5,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
dass zur Ausbildung der Silizidregion (8) ein Übergangsmetall verwendet wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6,
dadurch gekennzeichnet ,
dass sowohl die zweite Isolationsschicht (9) als auch die erste Isolationsschicht (10) , zumindest teilweise, entfernt werden.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7,
dadurch gekennzeichnet , dass die Silizidregion (8) selbstjustiert zum Basisanschlussbereich (5) gebildet wird.