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1. WO2004095581 - DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGES A SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2004/095581
Date de publication 04.11.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/005808
Date du dépôt international 22.04.2004
CIB
H01L 27/148 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
148Capteurs d'images à couplage de charge
H04N 5/335 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
H04N 5/369 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H04N 5/372 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
372Capteurs à dispositif à couplage de charge ; Registres d'intégration à temps de retard  ou registres à décalage spécialement adaptés au capteur SSIS
CPC
H01L 27/14806
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
148Charge coupled imagers
14806Structural or functional details thereof
H04N 5/3698
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
3698Circuitry for controlling the generation or the management of the power supply
H04N 5/372
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
372Charge-coupled device [CCD] sensors; Time delay and integration [TDI] registers or shift registers specially adapted for SSIS
Déposants
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 赤堀 寛 AKAHORI, Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 粕谷 立城 KASUYA, Tatsuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 赤堀 寛 AKAHORI, Hiroshi
  • 粕谷 立城 KASUYA, Tatsuki
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA, Yoshiki
Données relatives à la priorité
2003-11873023.04.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGES A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
Abrégé
(EN)
An energy beam-sensitive area (11) is divided into m columns arranged in the horizontal direction with their vertical directions as longitudinal directions and into n rows arranged in the vertical direction with their horizontal directions as longitudinal directions to include m × n photoelectric conversion units (13) arranged two-dimensionally. Each photoelectric conversion unit (13) generates a charge on being sensitive to the incidence of an energy beam. A plurality of transfer electrodes (15) are installed on the front surface side of the energy beam-sensitive area (11) so as to cover the energy beam-sensitive area (11). The transfer electrodes (15) are respectively provided with their horizontal directions as longitudinal directions and arrayed along their vertical directions. Individual transfer electrodes (15) are electrically connected by respective voltage-divided resistances (17). Each voltage-divided resistance (17) is provided in association wit each transfer electrode (15), and divides a dc output voltage from a dc power supply (19) to generate a dc output potential and give the potential to an associated transfer electrode (15).
(FR)
Une zone sensible à un faisceau d'énergie (11) est divisée en m colonnes disposées dans la direction horizontale avec leurs directions verticales comme directions longitudinales et en n rangées disposées dans la direction verticale avec leurs directions horizontales comme directions longitudinales pour inclure m x n unités de conversion photoélectriques (13) disposées en deux dimensions. Chaque unité de conversion photoélectrique (13) génère une charge en réponse à l'incidence d'un faisceau d'énergie. Une pluralité d'électrodes de transfert (15) sont installées sur la face de la surface avant de la zone sensible au faisceau d'énergie (11) de manière à recouvrir la zone sensible à un faisceau d'énergie (11). Les électrodes de transfert (15) sont respectivement prévues avec leurs directions horizontales comme directions longitudinales et disposées en réseau selon leurs directions verticales. Des électrodes de transfert individuelles (15) sont en liaison électrique par des résistances à division de tension respectives (17). Chaque résistance à division de tension (17) est prévue en association avec chaque électrode de transfert (15), et divise une tension de sortie en courant continu en provenance d'une alimentation en courant continu (19) pour la génération d'un potentiel de sortie en courant continu et la fourniture du potentiel à une électrode de transfert associée (15).
(JA)
エネルギー線感応領域11は、その水平方向が垂直方向を長手方向とするm個の列に分割され、また垂直方向が水平方向を長手方向とするn個の行に分割されて、m×n個の二次元配列された光電変換部13を含んでいる。この光電変換部13それぞれは、エネルギー線の入射に感応して電荷を発生する。エネルギー線感応領域11の表面側には、当該エネルギー線感応領域11を覆うように、複数の転送電極15が設置されている。複数の転送電極15は、水平方向を長手方向としてそれぞれ設けられ、垂直方向に沿って整列している。各々の転送電極15は各分圧抵抗17により電気的に接続されている。各分圧抵抗17は、各転送電極15に対応して設けられており、直流電源19からの直流出力電圧を分圧して直流出力電位を生成し、当該直流出力電位を対応する転送電極15に与えている。
Également publié en tant que
US2007063232
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