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1. (WO2004095571) PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095571    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/005637
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 20.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.11.2004    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo, 1448510 (JP) (Tous Sauf US).
HIROKAWA, Kazuto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUJIMURA, Manabu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIROKAWA, Kazuto; (JP).
TSUJIMURA, Manabu; (JP)
Mandataire : WATANABE, Isamu; GOWA Nishi-Shinjuku 4F, 5-8, Nishi-Shinjuku 7-chome,, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-117667 22.04.2003 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a substrate processing method that can perform improved flattening and processing upon the formation of interconnects. The a substrate processing method includes a step of eliminating a level difference in a surface of a interconnect material to flatten a surface, a step of removing the interconnect material until the interconnect material present in the non-interconnect region of the substrate becomes a thin film or remains partly on a barrier material, a step of removing the interconnect material in the form of the thin film or remaining partly on the barrier material, a step of simultaneously removing the unnecessary interconnect material and the barrier material until the barrier material present in the non-interconnect region becomes a thin film or remains partly, and a step of removing the unnecessary interconnect material and the barrier material in the form of the thin film.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement de substrat qui peut être mis en oeuvre pour améliorer la planarité du traitement lors de la formation des interconnexions. Ce procédé de traitement de substrat consiste à éliminer une différence de niveau dans une surface d'un matériau d'interconnexion de façon à aplanir cette surface, à retirer ce matériau d'interconnexion jusqu'à ce que le matériau d'interconnexion présent dans la région sans interconnexion du substrat devienne un film mince ou reste partiellement un matériau barrière, à retirer le matériau d'interconnexion sous forme de film mince ou restant partiellement sur le matériau barrière, à simultanément retirer la matériau d'interconnexion non nécessaire et le matériau barrière jusqu'à ce que le matériau barrière présent dans la région sans interconnexion devienne un film mince ou reste partiellement présent et, à retirer la matériau d'interconnexion non nécessaire et le matériau barrière sous la forme de film mince.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)