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1. (WO2004095561) COMPENSATION DES CONCENTRATIONS D'AZOTE HETEROGENES DANS UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM NITRUREE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095561    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/041186
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 22.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.09.2004    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventeurs : WIECZOREK, Karsten; (DE).
GRAETSCH, Falk; (DE).
HERRMANN, Lutz; (DE)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, Mail Stop 562, Austin, TX 78741 (US).
PFAU, Anton; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser, Anwaltssozietät, Maximilianstrabe 58, 80538 Münchem (DE)
Données relatives à la priorité :
103 14 504.4 31.03.2003 DE
10/693,024 24.10.2003 US
Titre (EN) COMPENSATION FOR HETEROGENEOUS NITROGEN CONCENTRATION IN A NITRIDED SILICON OXIDE LAYER
(FR) COMPENSATION DES CONCENTRATIONS D'AZOTE HETEROGENES DANS UNE COUCHE D'OXYDE DE SILICIUM NITRUREE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a technique for forming extremely thin insulation layers requiring the incorporation of specified amounts of nitrogen, wherein the effect of nitrogen variations across the substrate surface may be reduced in that during and/or after the nitrogen incorporation an oxidation process is performed. The nitrogen variations lead to a nitrogen concentration dependent oxidation rate and, hence, a nitrogen concentration dependent thickness variation of the insulating layer. In particular, the threshold variations of transistors including the thin insulating layer as a gate insulation layer may effectively be reduced.
(FR)La présente invention concerne une technique permettant de former des couches isolantes extrêmement fines avec des quantités spécifiques d'azote, faisant intervenir un procédé d'oxydation durant et/ou après l'introduction de l'azote pour réduire l'effet des variations de concentration de l'azote dans la surface du substrat. Les variations de concentration de l'azote conduisent à un taux d'oxydation dépendant de la concentration d'azote et, par conséquent, à une variation de l'épaisseur de la couche isolante dépendant de la concentration d'azote. La présente technique permet plus précisément de réduire efficacement les variations seuil de transistors utilisant la couche isolante mince comme couche isolante de grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)