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1. WO2004095560 - DISPOSITIF ET PROCEDE DE PRODUCTION SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2004/095560
Date de publication 04.11.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2004/004539
Date du dépôt international 30.03.2004
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
H01J 2237/2001
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
2001Maintaining constant desired temperature
H01J 37/32082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
H01L 21/67103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67103mainly by conduction
Y10T 279/23
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
279Chucks or sockets
23with magnetic or electrostatic means
Déposants
  • 株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 笠次 克尚 KASANAMI, Katsuhisa [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 宮田 敏光 MIYATA, Toshimitsu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 石坂 光範 ISHISAKA, Mitsunori [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 笠次 克尚 KASANAMI, Katsuhisa
  • 宮田 敏光 MIYATA, Toshimitsu
  • 石坂 光範 ISHISAKA, Mitsunori
Mandataires
  • 梶原 辰也 KAJIWARA, Tatsuya
Données relatives à la priorité
2003-11373818.04.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR PRODUCING DEVICE AND SEMICONDUCTOR PRODUCING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE PRODUCTION SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
A cylindrical electrode (215) and a cylindrical magnet (216) are installed outside a processing furnace (202) for an MMT device, and a susceptor (217) for holding a wafer (200) is installed inside the processing chamber (201) of the processing furnace. Installed in the processing furnace are a shower head (236) for shower-wise blowing a clean gas against the wafer, and a gate valve (244) for carrying the wafer into and out of the processing chamber. A high frequency electrode (2) and a heater (3) are installed in the susceptor (217) with clearances defined between them and the wall defining the space. The presence of the clearances between the high frequency electrode and heater and the wall defining the susceptor space ensures that even if thermal expansion differences between the high frequency electrode and heater and the susceptor occur, damage to the high frequency electrode and heater can be prevented.
(FR)
Selon l'invention, une électrode cylindrique (215) et un aimant cylindrique (216) sont installés à l'extérieur d'un four de traitement (202) destiné à un dispositif MMT et un suscepteur (217) permettant de supporter une plaquette (200) est installé à l'intérieur de la chambre de traitement (201) du four de traitement. Une pomme de douche (236) permettant de souffler comme une douche un gaz propre contre la plaquette et un robinet-vanne (244) permettant de transporter la plaquette à l'intérieur et à l'extérieur de la chambre de traitement sont installés dans le four de traitement. Une électrode haute fréquence (2) et un élément de chauffage (3) sont installés dans le suscepteur (217), des intervalles étant définis entre ceux-ci et une paroi définissant l'espace. La présence des intervalles entre l'électrode haute fréquence et l'élément de chauffage et la paroi définissant l'espace du suscepteur permet, même si des différences d'expansion thermique entre l'électrode haute fréquence et l'élément de chauffage et le suscepteur ont lieu, d'empêcher l'apparition de dommages sur l'électrode haute fréquence et l'élément de chauffage.
(JA)
MMT装置の処理炉(202)の外部には筒状電極(215)および筒状磁石(216)が設置され、処理炉の処理室(201)の内部にはウエハ(200)を保持するサセプタ(217)が設置され、処理炉にはウエハに処理ガスをシャワー状に吹き付けるシヤワーヘッド(236)とウエハを処理室に搬入搬出するためのゲートバルブ(244)が設置されている。サセプタ(217)の内部には高周波電極(2)およびヒータ(3)が、空間を形成する壁との間に間隙をとって配置されている。高周波電極およびヒータとサセプタの空間を形成する壁との間に間隙を有するので、高周波電極およびヒータとサセプタとの間に熱膨張差が発生しても、高周波電極やヒータの破損を防止できる。
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