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1. (WO2004095557) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095557    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016990
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 26.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.05.2004    
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
KONDOH, Eiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
VEZIN, Vincent [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBO, Kenichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUREISHI, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHTA, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KONDOH, Eiichi; (JP).
VEZIN, Vincent; (JP).
KUBO, Kenichi; (JP).
KUREISHI, Yoshinori; (JP).
OHTA, Tomohiro; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-17948 27.01.2003 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)In the process of manufacture of a semiconductor device, a Cu diffusion preventive film and a Cu film are buried in a fine pattern with a high-aspect ratio by using a supercritical medium by a substrate processing method. The method is characterized by comprising a first step of processing a substrate by supplying a first processing medium containing a first supercritical medium onto the substrate, a second step of forming a Cu diffusion preventive film on the substrate by supplying a second processing medium containing a second supercritical medium onto the substrate, and a third step of forming a Cu film on the substrate by supplying a third processing medium containing a third supercritical medium onto the substrate.
(FR)Dans un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, un film empêchant la diffusion de cuivre et un film de cuivre sont enfouis dans un motif fin présentant un rapport largeur/longueur élevé, au moyen d'un milieu supercritique dans un processus de traitement de substrat. Le procédé est caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : une première étape de traitement d'un substrat qui consiste à appliquer sur le substrat un milieu de traitement contenant un premier milieu supercritique ; une deuxième étape qui consiste à former sur le substrat un film empêchant la diffusion de cuivre par l'application, sur le substrat, d'un deuxième milieu de traitement contenant un deuxième milieu supercritique ; et une troisième étape qui consiste à former un film de cuivre sur le substrat par l'application, sur celui-ci, d'un troisième milieu de traitement contenant un troisième milieu supercritique.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)