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1. (WO2004095556) PROCEDE DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE GACHETTE METALLIQUE A FONCTION D'EXTRACTION REGLABLE DU FAIT DE L'INCORPORATION DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095556    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/012068
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 19.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.02.2005    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3215 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68 P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
WOO, Christy [US/US]; (US) (US Seulement).
BESSER, Paul, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
NGO, Minh Van [US/US]; (US) (US Seulement).
PAN, Janes, N. [--/US]; (US) (US Seulement).
YIN, Jinsong [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WOO, Christy; (US).
BESSER, Paul, R.; (US).
NGO, Minh Van; (US).
PAN, Janes, N.; (US).
YIN, Jinsong; (US)
Mandataire : COLLOPY, Daniel, R.; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
WRIGHT, Hugh, R.; Brookes Batchellor LLP, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Données relatives à la priorité :
10/420,721 23.04.2003 US
Titre (EN) A METHOD OF FORMING A METAL GATE STRUCTURE WITH TUNING OF WORK FUNCTION BY SILICON INCORPORATION
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UNE STRUCTURE DE GACHETTE METALLIQUE A FONCTION D'EXTRACTION REGLABLE DU FAIT DE L'INCORPORATION DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a semiconductor structure having a metal gate (30) with a controlled work function includes the step of forming a precursor having a substrate (10) with active regions (12) separated by a channel, a temporary gate (16) over the channel and within a dielectric layer (20). The temporary gate (16) is removed to form a recess (22) with a bottom and sidewalls in the dielectric layer (20). A non-silicon containing metal layer (26) is deposited in the recess (22). Silicon is incorporated into the metal layer (26) and a metal (28) is deposited on the metal layer (26). The incorporation of the silicon is achieved by silane treatments that are performed before, after or both before and after the depositing of the metal layer (26). The amount of silicon incorporated into the metal layer (26) controls the work function of the metal gate (30) that is formed.
(FR)Un procédé de formation d'une structure à semi-conducteur comportant un gâchette métallique (30) à fonction d'extraction commandée comprend une étape qui consiste à former un précurseur comprenant un substrat (10) pourvu de régions actives (12) séparées par un canal, une porte temporaire (16) prévue au-dessus du canal et dans une couche diélectrique (20). La porte temporaire (16) est enlevée pour former un évidement (22) présentant un fond et des parois latérales, dans la couche diélectrique (20). Une couche métallique (26) ne contenant pas de silicium est déposée dans l'évidement (22). Du silicium est incorporé dans la couche métallique (26) et un métal (28) est déposé sur la couche métallique (26). L'incorporation du silicium est effectuée au moyen de traitements au silane qui sont effectués avant et/ou après le dépôt de la couche métallique (26). La quantité de silicium incorporée dans la couche métallique (26) commande la fonction d'extraction de la gâchette métallique (30) qui est formée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)