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1. (WO2004095555) PROCEDE DE NETTOYAGE DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095555    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/005644
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 20.04.2004
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
HASEBE, Kazuhide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKADA, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
CHIBA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OGAWA, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HASEBE, Kazuhide; (JP).
OKADA, Mitsuhiro; (JP).
CHIBA, Takashi; (JP).
OGAWA, Jun; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo, 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-117663 22.04.2003 JP
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING HEAT TREATMENT APPARATUS
(FR) PROCEDE DE NETTOYAGE DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理装置のクリーニング方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for cleaning a heat treatment apparatus is disclosed. In an evacuatable process chamber of the heat treatment apparatus, an SiO2 film is formed on an object to be treated by using TEOS. The method comprises a cleaning step wherein an HF gas and an NH3 gas are supplied into the process chamber.
(FR)L'invention concerne un procédé de nettoyage de dispositif de traitement thermique. Dans une chambre de traitement à évacuation de ce dispositif, on établit un film de SiO2 sur un objet à traiter par le biais d'orthosilicate de tétraéthyle. Le procédé consiste en un nettoyage par gaz HF et gaz NH3 injectés dans la chambre.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)