WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2004095534) SUBSTRAT DE GAAS MUNI D'UN TAMPON DE SB POUR DES DISPOSITIFS A FORTE TENEUR EN INDIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095534    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/006326
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 02.03.2004
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 31/072 (2006.01)
Déposants : BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US/US]; 65 Spit Brook Road,, Nashua, NH 03061 (US) (Tous Sauf US).
UPPAL, Parvez, N. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : UPPAL, Parvez, N.; (US)
Mandataire : MALONEY, Neil, F.; PO Box 3445, Nashua, NH 03061-3445 (US)
Données relatives à la priorité :
10/418,230 17.04.2003 US
Titre (EN) GAAS SUBSTRATE WITH SB BUFFERING FOR HIGH IN DEVICES
(FR) SUBSTRAT DE GAAS MUNI D'UN TAMPON DE SB POUR DES DISPOSITIFS A FORTE TENEUR EN INDIUM
Abrégé : front page image
(EN)GaAs substrates with compositionally graded buffer layers for matching lattice constants with high-Indium semiconductor materials such as quantum well infrared photoconductor devices and thermo photo voltaic devices are disclosed.
(FR)L'invention concerne des substrats de GaAs comprenant des couches tampons à composition graduée pour faire correspondre les constantes de réseau à des matériaux semi-conducteurs à forte teneur en indium, tels que des dispositifs photoconducteurs infrarouges à puits quantique et des dispositifs thermo-photovoltaïques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)