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1. WO2004095524 - AIDE A L'ALIGNEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2004/095524
Date de publication 04.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/003097
Date du dépôt international 04.02.2004
CIB
H01L 23/544 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
544Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
H01L 23/58 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
H01L 21/302 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/8244 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8244Structures de mémoires statiques à accès aléatoire (SRAM)
CPC
H01L 2223/5442
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
544Marks applied to semiconductor devices or parts
5442comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
H01L 2223/5446
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2223Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
544Marks applied to semiconductor devices or parts
54453for use prior to dicing
5446Located in scribe lines
H01L 23/544
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
544Marks applied to semiconductor devices ; or parts; , e.g. registration marks, ; alignment structures, wafer maps
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • SHECK, Stephen, G. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • SHECK, Stephen, G.
Mandataires
  • GODDARD, Patricia, S.
Données relatives à la priorité
10/402,53928.03.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR ALIGNMENT AID
(FR) AIDE A L'ALIGNEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
An alignment aid (115) for semiconductor devices. The alignment aid includes an area (123) having a high level of reflectivity and an adjacent area (125) having a of low level of reflectivity. The area having a low level of reflectivity includes at least one layer of tiles (203) located in an interconnect layer (225) of a semiconductor device and located over active circuitry (218) of the semiconductor device. In some examples, the spacings between the tiles in a scan direction of the alignment aid is less than the wavelength of a light (e.g. a laser light) used to scan the alignment aid. In other examples, the width of the tiles in a scan direction of the alignment aid is less than the wave length of a laser used to scan the alignment aid.
(FR)
L'invention concerne une aide (115) à l'alignement conçue pour des dispositifs à semi-conducteurs, qui comporte une zone (123) présentant un niveau élevé de réflectivité et jouxtant une zone (125) présentant un faible niveau de réflectivité. La zone présentant un faible niveau de réflectivité comporte au moins une couche de mosaïques (203) placée dans une couche d'interconnexion (225) d'un dispositif à semi-conducteurs et au-dessus de circuits actifs (218) dudit dispositif à semi-conducteurs. Dans certains exemples, les espacements entre les mosaïques dans une direction de balayage de l'aide à l'alignement sont inférieurs à la longueur d'onde d'une lumière (par exemple une lumière laser) servant à explorer ladite aide. Dans d'autres exemples, la largeur des mosaïques dans une direction de l'aide à l'alignement est inférieure à la longueur d'onde d'un laser servant à explorer l'aide à l'alignement.
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