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1. (WO2004095521) REDRESSEUR AU SILICIUM BASSE TENSION POUR PROTECTION CONTRE LA DECHARGE ELECTROSTATIQUE EN TECHNOLOGIES DE SILICIUM SUR ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095521    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/012653
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 16.04.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.10.2004    
CIB :
H01L 29/74 (2006.01)
Déposants : SARNOFF CORPORATION [US/US]; 201 Washington Road, Princeton, NJ 08543 (US) (Tous Sauf US).
SARNOFF EUROPE BVBA [BE/BE]; Brugse Bann 188A, B-8470 Gistel (BE) (Tous Sauf US).
RUSS, Cornelius, Christain [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
JOSWIAK, Phillip [US/US]; (US) (US Seulement).
MERGENS, Markus [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ARMER, John [US/US]; (US) (US Seulement).
TRINH, Cong-Son [US/US]; (US) (US Seulement).
MOHN, Russell [US/US]; (US) (US Seulement).
VERHAEGE, Koen [BE/BE]; (BE) (US Seulement)
Inventeurs : RUSS, Cornelius, Christain; (DE).
JOSWIAK, Phillip; (US).
MERGENS, Markus; (DE).
ARMER, John; (US).
TRINH, Cong-Son; (US).
MOHN, Russell; (US).
VERHAEGE, Koen; (BE)
Mandataire : HERTZBERG, Steven; 595 Shrewsbury Avenue, Shrewsbury, NJ 07702 (US)
Données relatives à la priorité :
60/463,461 16.04.2003 US
10/825,780 15.04.2004 US
Titre (EN) LOW VOLTAGE SILICON CONTROLLED RECTIFIER (SCR) FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION ON SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGIES
(FR) REDRESSEUR AU SILICIUM BASSE TENSION POUR PROTECTION CONTRE LA DECHARGE ELECTROSTATIQUE EN TECHNOLOGIES DE SILICIUM SUR ISOLANT
Abrégé : front page image
(EN)A silicon-on-insulator (SOI) electrostatic discharge (ESD) protection device (100, 200, 300, 400, 500) that can protect very sensitive thin gate oxides by limiting the power dissiptation during the ESD event, which is best achieved by reducing the voltage drop across the active (protection) device during an ESD event. In one embodiment (Figs. 4A and 4B), the invention provides very low triggering and holding voltages. Furthermore, the SOI protection device of the present invention has low impedance and low power dissipation characteristics that reduce voltage build-up, and accordingly, enable designers to fabricate more area efficient protection device.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif de protection contre la décharge électrostatique de silicium sur isolant qui peut assurer la protection d'oxydes de grille minces très sensibles par la limitation de la dissipation de puissance lors d'un phénomène de décharge électrostatique, qui est réalisée de la manière la plus efficace par la réduction de la chute de tension à travers le dispositif de protection actif lors d'un phénomène de décharge électrostatique. Dans un mode de réalisation, l'invention prévoit des tensions très basses d'amorçage et de maintien, En outre, le dispositif de protection de silicium sur isolant de la présente invention possède des caractéristiques de faible impédance et de faible dissipation de puissance qui réduisent l'accumulation de tension, et par conséquent, permet aux concepteurs de fabriquer un dispositif avec une plus grande surface de protection.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)