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1. (WO2004095517) COUCHE DE PASSIVATION DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS DES GROUPES III-V

Pub. No.:    WO/2004/095517    International Application No.:    PCT/US2004/012349
Publication Date: 4 nov. 2004 International Filing Date: 21 avr. 2004
IPC: H01L 21/331
H01L 23/31
H01L 29/737
Applicants: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.
KRUEGER, Martha, R.
MACINNES, Andrew, N.
Inventors: KRUEGER, Martha, R.
MACINNES, Andrew, N.
Title: COUCHE DE PASSIVATION DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS DES GROUPES III-V
Abstract:
La présente invention concerne une couche de passivation destinée à un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) qui est formée à partir d'un matériau de structure de bande relativement plus haute qui correspond en maille aux composant HBT qu'il passive. Le fait de sélectionner une couche de passivation dans une structure de bande plus haute que celle des composant HBT, permet que des porteurs minoritaires soient contenus dans le HBT par la couche de passivation. En même temps, la correspondance en maille de cette couche de passivation assure une liaison robuste qui empêche la formation à posteriori de liaisons pendantes au niveau des surfaces extérieures de la base et du collecteur (et/ou d'autres surfaces passivées), minimisant ainsi des courants de fuite de surface.