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1. (WO2004095497) SOURCE DE PLASMA HAUTE DENSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095497    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/010724
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 07.04.2004
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Déposants : ZOND, INC. [US/US]; 137A High Street, Mansfield, Massachusetts 02048 (US) (Tous Sauf US).
CHISTYAKOV, Roman [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHISTYAKOV, Roman; (US)
Mandataire : RAUSCHENBACH, Kurt; P.O. Box 387, Bedford, MA 01730 (US)
Données relatives à la priorité :
10/249,595 22.04.2003 US
Titre (EN) HIGH-DENSITY PLASMA SOURCE
(FR) SOURCE DE PLASMA HAUTE DENSITE
Abrégé : front page image
(EN)A plasma source including a cathode assembly having an inner cathode section and an outer cathode section. An anode is positioned adjacent to the outer cathode section so as to form a gap there between. A first power supply generates a first electric field across the gap between the anode and the outer cathode section. The first electric field ionizes a volume of feed gas that is located in the gap, thereby generating an initial plasma. A second power supply generates a second electric field proximate to the inner cathode section. The second electric field super-ionizes the initial plasma to generate a plasma comprising a higher density of ions than the initial plasma.
(FR)L'invention concerne une source de plasma qui comprend un ensemble cathode comportant une section de cathode interne et une section de cathode externe. Une anode est disposée à côté de la section de cathode externe de telle sorte qu'un interstice soit formé entre ces deux parties. Une première source d'alimentation électrique génère un premier champ électrique à travers l'interstice ménagé entre l'anode et la section de cathode externe. Ce premier champ électrique ionise un volume de gaz d'alimentation présent dans l'interstice, un plasma initial étant ainsi généré. Une seconde source d'alimentation électrique génère un second champ électrique à proximité de la section de cathode interne. Ce second champ électrique super-ionise le plasma initial de façon à générer un plasma présentant une densité d'ions supérieure à celle du plasma initial.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)