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1. (WO2004095470) MEMOIRE NON VOLATILE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/095470    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/005280
Date de publication : 04.11.2004 Date de dépôt international : 24.04.2003
CIB :
G11C 11/401 (2006.01), G11C 16/12 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (Tous Sauf US).
YAMADA, Shigekazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMADA, Shigekazu; (JP)
Mandataire : FURUYA, Fumio; Dai2 Meiho Bldg., 9th Floor, 19-5, Nishishinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) MEMOIRE NON VOLATILE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 不揮発性半導体メモリ
Abrégé : front page image
(EN)A transmission transistor for transmitting a drain voltage is connected to an electrically rewritable nonvolatile memory cell. An operation control circuit controls a program operation for increasing the threshold voltage of the memory cell and a verify operation conducted before and after the program operation for ascertaining the threshold voltage of the memory cell. A drain switch circuit connects the gate of the transmission transistor to a first voltage line for supplying a first voltage during a verify operation and to a second voltage line for supplying a second voltage during a program operation. Since the second voltage is supplied to the transmission transistor only by the switch operation (selection operation) of the drain switch circuit, the program operation can be started in a short time after the verify operation. As a result, the time taken to write data in the memory cell is shortened.
(FR)Un transistor de transmission servant à transmettre une tension de drain est connecté à une cellule de mémoire non volatile électriquement réinscriptible. Un circuit de commande d'opération commande une opération de programme visant à accroître la tension de seuil de la cellule de mémoire ; et une opération de vérification, mise en oeuvre avant et après l'opération de programme afin de définir la tension de seuil de la cellule de mémoire. Un circuit de commutation de drain connecte la porte du transistor de transmission à une première ligne de tension qui fournit une première tension pendant une opération de vérification, et à une deuxième ligne de tension qui fournit une deuxième tension pendant une opération de programme. Comme la deuxième tension n'est fournie au transistor de transmission que par l'actionnement (opération de sélection) du circuit de commutation de drain, l'opération de programme peut commencer peu de temps après l'opération de vérification. L'invention permet ainsi de réduire le temps nécessaire à l'inscription de données dans la cellule de mémoire.
(JA)電気的に書き換え可能な不揮発性のメモリセルにドレイン電圧を伝達する伝達トランジスタが接続されている。動作制御回路は、メモリセルの閾値電圧を高くするプログラム動作と、メモリセルの閾値電圧を確認するためにプログラム動作の前後に実行されるベリファイ動作とを制御する。ドレイン切替回路は、ベリファイ動作中に、伝達トランジスタのゲートを第1電圧が供給される第1電圧線に接続する。ドレイン切替回路は、プログラム動作中に、伝達トランジスタのゲートを第2電圧が供給される第2電圧線に接続する。ドレイン切替回路の切替動作(選択動作)だけで、伝達トランジスタに第2電圧が供給できるため、プログラム動作をベリファイ動作後から短時間で開始できる。この結果、メモリセルへのデータの書き込み時間を短縮できる。
États désignés : CN, JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)